Справочник MOSFET. IRFI610B

 

IRFI610B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFI610B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO262
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFI610B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:798K  fairchild semi
 irfw610b irfi610b.pdf pdf_icon

IRFI610B

November 2001IRFW610B / IRFI610B200V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 3.3A, 200V, RDS(on) = 1.5 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 7.2 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 6.8 pF)This advanced technology has been especially tailored t

 7.1. Size:205K  1
 irfi610a irfw610a.pdf pdf_icon

IRFI610B

 8.1. Size:209K  1
 irfi614a irfw614a.pdf pdf_icon

IRFI610B

 8.2. Size:286K  international rectifier
 irfi614g.pdf pdf_icon

IRFI610B

PD - 95605IRFI614GPbF Lead-Free7/28/04Document Number: 91145 www.vishay.com1IRFI614GPbFDocument Number: 91145 www.vishay.com2IRFI614GPbFDocument Number: 91145 www.vishay.com3IRFI614GPbFDocument Number: 91145 www.vishay.com4IRFI614GPbFDocument Number: 91145 www.vishay.com5IRFI614GPbFDocument Number: 91145 www.vishay.com6IRFI614GPbFPeak Diode R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFI520G , IRFI520GPBF , IRFI530G , IRFI530GPBF , IRFI530NPBF , IRFI540G , IRFI540GPBF , IRFI540NPBF , AO3400 , IRFI624GPBF , IRFI710B , IRFI734GPBF , IRFI740B , IRFW740B , IRFI744GPBF , IRFI7536GPBF , IRFI820GPBF .

 

 
Back to Top

 


 
.