Справочник MOSFET. IRFN054

 

IRFN054 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRFN054
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 88(max) nC
   trⓘ - Время нарастания: 180(max) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2000 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: SMD1

 Аналог (замена) для IRFN054

 

 

IRFN054 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:489K  international rectifier
irfn054.pdf

IRFN054
IRFN054

PD - 91543BIRFN054POWER MOSFET 60V, N-CHANNELHEXFET MOSFET TECHNOLOGYSURFACE MOUNT (SMD-1)Product SummaryPart Number RDS(on) IDIRFN054 0.020 55A*HEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. Theefficient geometry design achieves very low on-state re-sistance combined with high transconductance. HEXFET

 0.1. Size:23K  semelab
irfn054smd.pdf

IRFN054
IRFN054

IRFN054SMDMECHANICAL DATADimensions in mm (inches)NCHANNELPOWER MOSFET VDSS 60V ID(cont) 45A RDS(on) 0.027FEATURES HERMETICALLY SEALED SURFACEMOUNT PACKAGE SMALL FOOTPRINT EFFICIENT USE OFPCB SPACE. SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS

 9.1. Size:134K  international rectifier
irfn044.pdf

IRFN054
IRFN054

PD - 91545A IRFN044POWER MOSFET60V, N-CHANNELSURFACE MOUNT(SMD-1)HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number RDS(on) IDIRFN044 0.04 44AHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. Theefficient geometry design achieves very low on-state re-sistance combined with high transconductance. HEXFET

 9.2. Size:22K  semelab
irfn044smd.pdf

IRFN054
IRFN054

IRFN044SMDSEMELABMECHANICAL DATANCHANNELPOWER MOSFET VDSS 60V ID(cont) 34A RDS(on) 0.040FEATURES HERMETICALLY SEALED SURFACEMOUNT PACKAGE SMALL FOOTPRINT EFFICIENT USE OFPCB SPACE. SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS

Другие MOSFET... IRFM340 , IRFM350 , IRFM360 , IRFM440 , IRFM460 , IRFM9140 , IRFM9240 , IRFN044 , AON7506 , IRFN130 , IRFN140 , IRFN150 , IRFN240 , IRFN250 , IRFN340 , IRFN350 , IRFN440 .

 

 
Back to Top