IRFI820GPBF - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

IRFI820GPBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: IRFI820GPBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 24 nC
   trⓘ - Время нарастания: 8.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 92 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для IRFI820GPBF

IRFI820GPBF Datasheet (PDF)

..1. Size:1025K international rectifier
irfi820gpbf.pdf

PD- 95522IRFI820GPbF Lead-Free07/08/04Document Number: 91158 www.vishay.com1IRFI820GPbFDocument Number: 91158 www.vishay.com2IRFI820GPbFDocument Number: 91158 www.vishay.com3IRFI820GPbFDocument Number: 91158 www.vishay.com4IRFI820GPbFDocument Number: 91158 www.vishay.com5IRFI820GPbFDocument Number: 91158 www.vishay.com6IRFI820GPbFPeak Diode R

..2. Size:1783K vishay
irfi820gpbf sihfi820g.pdf

IRFI820G, SiHFI820GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 500 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s,AvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 3.0f = 60 Hz)RoHS*Qg (Max.) (nC) 24COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQgs (nC) 3.3 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 13 Low Thermal ResistanceConfiguration Si

6.1. Size:168K international rectifier
irfi820g.pdf