Справочник MOSFET. IRL1004PBF

 

IRL1004PBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRL1004PBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 130 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 210 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1480 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRL1004PBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:159K  international rectifier
irl1004pbf.pdfpdf_icon

IRL1004PBF

PD - 95403IRL1004PbFHEXFET Power MOSFETl Logic-Level Gate Drivel Advanced Process TechnologyDVDSS = 40Vl Ultra Low On-Resistancel Dynamic dv/dt Ratingl 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.0065l Fast Switching Gl Fully Avalanche RatedID = 130Al Lead-FreeSDescriptionFifth Generation HEXFET power MOSFETs fromInternational Rectifier utilize advanced

 7.1. Size:210K  international rectifier
irl1004lpbf irl1004spbf.pdfpdf_icon

IRL1004PBF

PD - 95575IRL1004SPbFIRL1004LPbFl Logic-Level Gate DriveHEXFET Power MOSFETl Advanced Process Technologyl Ultra Low On-ResistanceDl Dynamic dv/dt RatingVDSS = 40Vl 175C Operating Temperaturel Fast SwitchingRDS(on) = 0.0065l Fully Avalanche RatedGl Lead-FreeID = 130ADescriptionSFifth Generation HEXFET power MOSFETs fromInternational Rectifier u

 7.2. Size:89K  international rectifier
irl1004.pdfpdf_icon

IRL1004PBF

PD - 91702BIRL1004HEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate DriveD Advanced Process Technology VDSS = 40V Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt RatingRDS(on) = 0.0065 175C Operating TemperatureG Fast SwitchingID = 130A Fully Avalanche RatedSDescriptionFifth Generation HEXFET power MOSFETs fromInternational Rectifier utilize advanced processing techniques

 7.3. Size:123K  international rectifier
irl1004s irl1004l.pdfpdf_icon

IRL1004PBF

PD - 91644AIRL1004S IRL1004L Logic-Level Gate DriveHEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance DVDSS = 40V Dynamic dv/dt Rating 175C Operating Temperature Fast Switching RDS(on) = 0.0065G Fully Avalanche RatedDescriptionID = 130A SFifth Generation HEXFET power MOSFETs fromInternational Rectifier utilize advanced processing

Другие MOSFET... IRL3705ZPBF , IRL3705ZSPBF , IRL3713L , IRL3713PBF , IRL3713SPBF , IRL3502PBF , IRL3502SPBF , IRL1004LPBF , IRFZ46N , IRL1004SPBF , IRL1104 , IRL1104L , IRL1104LPBF , IRL1104PBF , IRL1104S , IRL1104SPBF , IRL1404LPBF .

History: DMN3052LSS | FHF630A

 

 
Back to Top

 


 
.