IRL2505SPBF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRL2505SPBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 104 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 130 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 160 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для IRL2505SPBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRL2505SPBF даташит

 ..1. Size:292K  international rectifier
 irl2505spbf irl2505lpbf.pdf pdf_icon

IRL2505SPBF

PD - 95577 IRL2505LPbF IRL2505SPbF l Logic-Level Gate Drive HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology l Surface Mount (IRL2505S) D VDSS = 55V l Low-profile through-hole (IRL2505L) l 175 C Operating Temperature RDS(on) = 0.008 l Fast Switching G l Fully Avalanche Rated ID = 104A l Lead-Free S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier ut

 ..2. Size:292K  international rectifier
 irl2505lpbf irl2505spbf.pdf pdf_icon

IRL2505SPBF

PD - 95577 IRL2505LPbF IRL2505SPbF l Logic-Level Gate Drive HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology l Surface Mount (IRL2505S) D VDSS = 55V l Low-profile through-hole (IRL2505L) l 175 C Operating Temperature RDS(on) = 0.008 l Fast Switching G l Fully Avalanche Rated ID = 104A l Lead-Free S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier ut

 6.1. Size:178K  international rectifier
 irl2505s irl2505l.pdf pdf_icon

IRL2505SPBF

PD - 91326D IRL2505S/L HEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate Drive Advanced Process Technology D VDSS = 55V Surface Mount (IRL2505S) Low-profile through-hole (IRL2505L) 175 C Operating Temperature RDS(on) = 0.008 Fast Switching G Fully Avalanche Rated ID = 104A Description S Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniqu

 6.2. Size:251K  inchange semiconductor
 irl2505s.pdf pdf_icon

IRL2505SPBF

isc N-Channel MOSFET Transistor IRL2505S FEATURES With TO-263( D2PAK ) packaging High speed switching Low gate input resistance Standard level gate drive Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a S

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRL1404LPBF, IRL1404PBF, IRL1404SPBF, IRL1404ZPBF, IRL2203NLPBF, IRL2203NPBF, IRL2203NSPBF, IRL2505PBF, 7N60, IRL2703PBF, IRL2703SPBF, IRL2910PBF, IRL2910SPBF, IRL3102PBF, IRL3102SPBF, IRL3103D2PBF, IRL3103LPBF