IRHY57130CM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRHY57130CM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 65 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm

Тип корпуса: TO257AA

Аналог (замена) для IRHY57130CM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRHY57130CM даташит

 ..1. Size:224K  international rectifier
irhy57034cm irhy57130cm irhy57z30cm.pdfpdf_icon

IRHY57130CM

INCH-POUND The documentation and process conversion measures necessary to comply with this revision MIL-PRF-19500/702D shall be completed by 26 May 2014. 26 February 2014 SUPERSEDING MIL-PRF-19500/702C 21 May 2010 PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET SEMICONDUCTOR DEVICE, FIELD EFFECT RADIATION HARDENED * TRANSISTOR, N-CHANNEL, SILICON, TYPES 2N7482T3, 2N7483T3, AND 2N7484

 ..2. Size:115K  international rectifier
irhy57130cm.pdfpdf_icon

IRHY57130CM

PD - 93826A RADIATION HARDENED IRHY57130CM POWER MOSFET 100V, N-CHANNEL THRU-HOLE (TO-257AA) TECHNOLOGY 4 4# c Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHY57130CM 100K Rads (Si) 0.07 18A* IRHY53130CM 300K Rads (Si) 0.07 18A* IRHY54130CM 600K Rads (Si) 0.07 18A* IRHY58130CM 1000K Rads (Si) 0.085 18A* TO-257AA International Rectifier s R5TM tec

 6.1. Size:175K  international rectifier
irhy57133cmse.pdfpdf_icon

IRHY57130CM

PD - 94318C IRHY57133CMSE RADIATION HARDENED JANSR2N7488T3 POWER MOSFET 130V, N-CHANNEL THRU-HOLE (TO-257AA) REF MIL-PRF-19500/705 5 5 TECHNOLOGY Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID QPL Part Number IRHY57133CMSE 100K Rads (Si) 0.09 18A* JANSR2N7488T3 T0-257AA International Rectifier s R5TM technology provides high performance power MOSFETs for sp

 8.1. Size:174K  international rectifier
irhy57234cmse.pdfpdf_icon

IRHY57130CM

PD-93823C RADIATION HARDENED IRHY57234CMSE POWER MOSFET 250V, N-CHANNEL THRU-HOLE (TO-257AA) TECHNOLOGY 5 5 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHY57234CMSE 100K Rads (Si) 0.41 9.6A TO-257AA International Rectifier s R5TM technology provides high performance power MOSFETs for space applications. These devices have been characterized Features f

Другие IGBT... IRL3103PBF, IRL3103SPBF, IRL3202PBF, IRL3302SPBF, IRL3303LPBF, IRL3303PBF, IRL3303SPBF, IRHY57034CM, IRF730, IRHY57133CMSE, IRHY57230CMSE, IRHY57234CMSE, IRHY57Z30CM, IRHY597034CM, IRHY597130CM, IRHY597230CM, IRHY67434CM