Справочник MOSFET. IRHYS67134CM

 

IRHYS67134CM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRHYS67134CM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: TO257AA
 

 Аналог (замена) для IRHYS67134CM

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRHYS67134CM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:190K  international rectifier
 irhys67134cm.pdf pdf_icon

IRHYS67134CM

PD-96930C2N7590T3RADIATION HARDENED IRHYS67134CMPOWER MOSFET 150V, N-CHANNELTHRU-HOLE (Low-Ohmic TO-257AA) TECHNOLOGYProduct Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHYS67134CM 100K Rads (Si) 0.090 19A IRHYS63134CM 300K Rads (Si) 0.090 19ALow-OhmicTO-257AAInternational Rectifiers R6TM technology providesFeatures:superior power MOSFETs for space applica

 5.1. Size:194K  international rectifier
 irhys67130cm.pdf pdf_icon

IRHYS67134CM

PD-96986A2N7588T3RADIATION HARDENED IRHYS67130CMPOWER MOSFET 100V, N-CHANNELTHRU-HOLE (Low-Ohmic TO-257AA) TECHNOLOGYProduct Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHYS67130CM 100K Rads (Si) 0.042 20A* IRHYS63130CM 300K Rads (Si) 0.042 20A*Low-OhmicInternational Rectifiers R6TM technology provides TO-257AAsuperior power MOSFETs for space applications.Fe

 7.1. Size:200K  international rectifier
 irhys67230cm.pdf pdf_icon

IRHYS67134CM

PD-96925C2N7592T3RADIATION HARDENED IRHYS67230CMPOWER MOSFET 200V, N-CHANNELTHRU-HOLE (Low-Ohmic TO-257AA) TECHNOLOGYProduct Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHYS67230CM 100K Rads (Si) 0.13 16A IRHYS63230CM 300K Rads (Si) 0.13 16ALow-OhmicInternational Rectifiers R6TM technology provides TO-257AAsuperior power MOSFETs for space applications.Featur

 7.2. Size:202K  international rectifier
 irhys67234cm.pdf pdf_icon

IRHYS67134CM

PD-97193A2N7594T3RADIATION HARDENED IRHYS67234CMPOWER MOSFET 250V, N-CHANNELTHRU-HOLE (Low-Ohmic TO-257AA) TECHNOLOGYProduct Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHYS67234CM 100K Rads (Si) 0.22 12A IRHYS63234CM 300K Rads (Si) 0.22 12ALow-OhmicInternational Rectifiers R6TM technology provides TO-257AAsuperior power MOSFETs for space applications.Featur

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRHYB597Z30CM , IRHYB67130CM , IRHYB67134CM , IRHYB67230CM , IRHYK57133CMSE , IRHYS597034CM , IRHYS597Z30CM , IRHYS67130CM , IRF9540 , IRHYS67230CM , IRHYS67234CM , IRHN57250SE , IRHN7054 , IRHN7130 , IRHN7150 , IRHN7230 , IRHN7250 .

History: IPI60R520CP | WMM180N03TS

 

 
Back to Top

 


 
.