IRHYS67234CM MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRHYS67234CM
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 27 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 184 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.22 Ohm
Тип корпуса: TO257AA
Аналог (замена) для IRHYS67234CM
IRHYS67234CM Datasheet (PDF)
irhys67234cm.pdf
PD-97193A2N7594T3RADIATION HARDENED IRHYS67234CMPOWER MOSFET 250V, N-CHANNELTHRU-HOLE (Low-Ohmic TO-257AA) TECHNOLOGYProduct Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHYS67234CM 100K Rads (Si) 0.22 12A IRHYS63234CM 300K Rads (Si) 0.22 12ALow-OhmicInternational Rectifiers R6TM technology provides TO-257AAsuperior power MOSFETs for space applications.Featur
irhys67230cm.pdf
PD-96925C2N7592T3RADIATION HARDENED IRHYS67230CMPOWER MOSFET 200V, N-CHANNELTHRU-HOLE (Low-Ohmic TO-257AA) TECHNOLOGYProduct Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHYS67230CM 100K Rads (Si) 0.13 16A IRHYS63230CM 300K Rads (Si) 0.13 16ALow-OhmicInternational Rectifiers R6TM technology provides TO-257AAsuperior power MOSFETs for space applications.Featur
irhys67134cm.pdf
PD-96930C2N7590T3RADIATION HARDENED IRHYS67134CMPOWER MOSFET 150V, N-CHANNELTHRU-HOLE (Low-Ohmic TO-257AA) TECHNOLOGYProduct Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHYS67134CM 100K Rads (Si) 0.090 19A IRHYS63134CM 300K Rads (Si) 0.090 19ALow-OhmicTO-257AAInternational Rectifiers R6TM technology providesFeatures:superior power MOSFETs for space applica
irhys67130cm.pdf
PD-96986A2N7588T3RADIATION HARDENED IRHYS67130CMPOWER MOSFET 100V, N-CHANNELTHRU-HOLE (Low-Ohmic TO-257AA) TECHNOLOGYProduct Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHYS67130CM 100K Rads (Si) 0.042 20A* IRHYS63130CM 300K Rads (Si) 0.042 20A*Low-OhmicInternational Rectifiers R6TM technology provides TO-257AAsuperior power MOSFETs for space applications.Fe
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918