IRHN7054. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRHN7054

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 200 nC

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: TO276AB

Аналог (замена) для IRHN7054

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRHN7054 даташит

 ..1. Size:247K  international rectifier
 irhn7054.pdf pdf_icon

IRHN7054

PD - 90884B IRHN7054 IRHN7054 IRHN7054 IRHN7054 IRHN7054 JANSR2N7394U JANSR2N7394U JANSR2N7394U JANSR2N7394U JANSR2N7394U RADIATION HARDENED RADIATION HARDENED RADIATION HARDENED RADIATION HARDENED RADIATION HARDENED 60V, N-CHANNEL 60V, N-CHANNEL 60V, N-CHANNEL 60V, N-CHANNEL 60V, N-CHANNEL POWER MOSFET POWER MOSFET POWER MOSFET POWER MOSFET POWER MOSFET REF MIL-PRF-1

 ..2. Size:1035K  international rectifier
 irhm7054 irhm7150 irhm7250 irhm7450 irhn7054 irhn7150 irhn7250 irhn7450.pdf pdf_icon

IRHN7054

INCH-POUND The documentation and process conversion measures necessary to comply with this revision MIL-PRF-19500/603J shall be completed by 20 June 2013. 6 May 2013 SUPERSEDING MIL-PRF-19500/603H 1 July 2011 PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET SEMICONDUCTOR DEVICE, FIELD EFFECT RADIATION HARDENED (TOTAL DOSE ONLY) TRANSISTORS, N-CHANNEL, SILICON, TYPES 2N7268, 2N7269,

 9.1. Size:277K  international rectifier
 irhn7250.pdf pdf_icon

IRHN7054

PD - 90679F IRHN7250 JANSR2N7269U RADIATION HARDENED 200V, N-CHANNEL POWER MOSFET REF MIL-PRF-19500/603 SURFACE MOUNT(SMD-1) RAD-Hard HEXFET TECHNOLOGY Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID QPL Part Number IRHN7250 100K Rads (Si) 0.1 26A JANSR2N7269U IRHN3250 300K Rads (Si) 0.1 26A JANSF2N7269U IRHN4250 600K Rads (Si) 0.1 26A JANSG2N7269U IRHN8250

 9.2. Size:284K  international rectifier
 irhn7150.pdf pdf_icon

IRHN7054

PD - 90720C IRHN7150 RADIATION HARDENED JANSR2N7268U POWER MOSFET 100V, N-CHANNEL REF MIL-PRF-19500/603 SURFACE MOUNT (SMD-1) RAD Hard HEXFET TECHNOLOGY Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID QPL Part Number IRHN7150 100K Rads (Si) 0.065 34A JANSR2N7268U IRHN3150 300K Rads (Si) 0.065 34A JANSF2N7268U IRHN4150 600K Rads (Si) 0.065 34A JANSG2N7268U

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRHYK57133CMSE, IRHYS597034CM, IRHYS597Z30CM, IRHYS67130CM, IRHYS67134CM, IRHYS67230CM, IRHYS67234CM, IRHN57250SE, IRFP250N, IRHN7130, IRHN7150, IRHN7230, IRHN7250, IRHN7250SE, IRHN7450, IRHN7450SE, IRHN7C50SE