IRHM7150. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRHM7150

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 200 nC

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm

Тип корпуса: TO254AA

Аналог (замена) для IRHM7150

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRHM7150 даташит

 ..1. Size:1035K  international rectifier
 irhm7054 irhm7150 irhm7250 irhm7450 irhn7054 irhn7150 irhn7250 irhn7450.pdf pdf_icon

IRHM7150

INCH-POUND The documentation and process conversion measures necessary to comply with this revision MIL-PRF-19500/603J shall be completed by 20 June 2013. 6 May 2013 SUPERSEDING MIL-PRF-19500/603H 1 July 2011 PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET SEMICONDUCTOR DEVICE, FIELD EFFECT RADIATION HARDENED (TOTAL DOSE ONLY) TRANSISTORS, N-CHANNEL, SILICON, TYPES 2N7268, 2N7269,

 ..2. Size:444K  international rectifier
 irhm7150.pdf pdf_icon

IRHM7150

PD - 90675C IRHM7150 IRHM7150 IRHM7150 IRHM7150 IRHM7150 JANSR2N7268 JANSR2N7268 JANSR2N7268 JANSR2N7268 JANSR2N7268 RADIATION HARDENED RADIATION HARDENED RADIATION HARDENED RADIATION HARDENED RADIATION HARDENED 100V, N-CHANNEL 100V, N-CHANNEL 100V, N-CHANNEL 100V, N-CHANNEL 100V, N-CHANNEL POWER MOSFET POWER MOSFET POWER MOSFET POWER MOSFET POWER MOSFET REF MIL-PR

 8.1. Size:485K  international rectifier
 irhm7130.pdf pdf_icon

IRHM7150

PD - 90707D IRHM7130 IRHM7130 IRHM7130 RADIATION HARDENED IRHM7130 RADIATION HARDENED IRHM7130 RADIATION HARDENED RADIATION HARDENED RADIATION HARDENED 100V, N-CHANNEL 100V, N-CHANNEL 100V, N-CHANNEL 100V, N-CHANNEL 100V, N-CHANNEL POWER MOSFET POWER MOSFET POWER MOSFET POWER MOSFET POWER MOSFET RAD Hard HEXFET TECHNOLOGY RAD Hard HEXFET TECHNOLOGY RAD Hard HEXFET TE

 8.2. Size:266K  international rectifier
 irhm7160.pdf pdf_icon

IRHM7150

PD - 91331C IRHM7160 IRHM7160 IRHM7160 IRHM7160 IRHM7160 JANSR2N7432 JANSR2N7432 JANSR2N7432 JANSR2N7432 JANSR2N7432 RADIATION HARDENED RADIATION HARDENED RADIATION HARDENED RADIATION HARDENED RADIATION HARDENED 100V, N-CHANNEL 100V, N-CHANNEL 100V, N-CHANNEL 100V, N-CHANNEL 100V, N-CHANNEL POWER MOSFET POWER MOSFET POWER MOSFET POWER MOSFET POWER MOSFET REF MIL-PR

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRHM57160, IRHM57260, IRHM57260SE, IRHM57264SE, IRHM57Z60, IRHM7054, IRHM7064, IRHM7130, IRFB3607, IRHM7160, IRHM7230, IRHM7250, IRHM7260, IRHM7264SE, IRHM7360, IRHM7360SE, IRHM7450