Справочник MOSFET. IRFN044SMD

 

IRFN044SMD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFN044SMD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 130 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: SMD1
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFN044SMD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:22K  semelab
irfn044smd.pdfpdf_icon

IRFN044SMD

IRFN044SMDSEMELABMECHANICAL DATANCHANNELPOWER MOSFET VDSS 60V ID(cont) 34A RDS(on) 0.040FEATURES HERMETICALLY SEALED SURFACEMOUNT PACKAGE SMALL FOOTPRINT EFFICIENT USE OFPCB SPACE. SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS

 7.1. Size:134K  international rectifier
irfn044.pdfpdf_icon

IRFN044SMD

PD - 91545A IRFN044POWER MOSFET60V, N-CHANNELSURFACE MOUNT(SMD-1)HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number RDS(on) IDIRFN044 0.04 44AHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. Theefficient geometry design achieves very low on-state re-sistance combined with high transconductance. HEXFET

 9.1. Size:489K  international rectifier
irfn054.pdfpdf_icon

IRFN044SMD

PD - 91543BIRFN054POWER MOSFET 60V, N-CHANNELHEXFET MOSFET TECHNOLOGYSURFACE MOUNT (SMD-1)Product SummaryPart Number RDS(on) IDIRFN054 0.020 55A*HEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. Theefficient geometry design achieves very low on-state re-sistance combined with high transconductance. HEXFET

 9.2. Size:23K  semelab
irfn054smd.pdfpdf_icon

IRFN044SMD

IRFN054SMDMECHANICAL DATADimensions in mm (inches)NCHANNELPOWER MOSFET VDSS 60V ID(cont) 45A RDS(on) 0.027FEATURES HERMETICALLY SEALED SURFACEMOUNT PACKAGE SMALL FOOTPRINT EFFICIENT USE OFPCB SPACE. SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: IRF241 | NCE70T180D

 

 
Back to Top

 


 
.