Справочник MOSFET. IRFN054SMD

 

IRFN054SMD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFN054SMD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 180 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2000 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm
   Тип корпуса: SMD1
 

 Аналог (замена) для IRFN054SMD

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFN054SMD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:23K  semelab
irfn054smd.pdfpdf_icon

IRFN054SMD

IRFN054SMDMECHANICAL DATADimensions in mm (inches)NCHANNELPOWER MOSFET VDSS 60V ID(cont) 45A RDS(on) 0.027FEATURES HERMETICALLY SEALED SURFACEMOUNT PACKAGE SMALL FOOTPRINT EFFICIENT USE OFPCB SPACE. SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS

 7.1. Size:489K  international rectifier
irfn054.pdfpdf_icon

IRFN054SMD

PD - 91543BIRFN054POWER MOSFET 60V, N-CHANNELHEXFET MOSFET TECHNOLOGYSURFACE MOUNT (SMD-1)Product SummaryPart Number RDS(on) IDIRFN054 0.020 55A*HEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. Theefficient geometry design achieves very low on-state re-sistance combined with high transconductance. HEXFET

 9.1. Size:134K  international rectifier
irfn044.pdfpdf_icon

IRFN054SMD

PD - 91545A IRFN044POWER MOSFET60V, N-CHANNELSURFACE MOUNT(SMD-1)HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number RDS(on) IDIRFN044 0.04 44AHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. Theefficient geometry design achieves very low on-state re-sistance combined with high transconductance. HEXFET

 9.2. Size:22K  semelab
irfn044smd.pdfpdf_icon

IRFN054SMD

IRFN044SMDSEMELABMECHANICAL DATANCHANNELPOWER MOSFET VDSS 60V ID(cont) 34A RDS(on) 0.040FEATURES HERMETICALLY SEALED SURFACEMOUNT PACKAGE SMALL FOOTPRINT EFFICIENT USE OFPCB SPACE. SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS

Другие MOSFET... IRFM5210 , IRFM540 , IRFMA450 , IRFMG40 , IRFMG50 , IRFMJ044 , IRFML8244TRPBF , IRFN044SMD , IRFB4110 , IRFN130SMD , IRFN130SMD05 , IRFN140SMD , IRFN150SMD , IRFN214BTAFP001 , IRFN240SMD , IRFN250SMD , IRFN254 .

History: AFN1520 | HY4N65D | BSB019N03LXG | 2SK1434 | SI7998DP | IXFV22N60PS | SFF23N60M

 

 
Back to Top

 


 
.