IRFN140SMD MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRFN140SMD
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 59 nC
trⓘ - Время нарастания: 145 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 550 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.077 Ohm
Тип корпуса: SMD1
Аналог (замена) для IRFN140SMD
IRFN140SMD Datasheet (PDF)
irfn140smd.pdf
IRFN140SMDSEMELABMECHANICAL DATADimensions in mm (inches)NCHANNELPOWER MOSFET VDSS 100V ID(cont) 13.9A RDS(on) 0.077FEATURES HERMETICALLY SEALED SURFACEMOUNT PACKAGE SMALL FOOTPRINT EFFICIENT USE OFPCB SPACE. S
irfn140.pdf
PD - 91546CIRFN140JANTX2N7218UJANTXV2N7218UPOWER MOSFETREF:MIL-PRF-19500/596SURFACE MOUNT(SMD-1) 100V, N-CHANNELProduct SummaryHEXFET MOSFET TECHNOLOGYPart Number RDS(on) IDIRFN140 0.077 28AHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. Theefficient geometry design achieves very low on-state re-
irfn150.pdf
PD - 91547CIRFN150JANTX2N7224UJANTXV2N7224UPOWER MOSFETREF:MIL-PRF-19500/592SURFACE MOUNT(SMD-1) 100V, N-CHANNELProduct SummaryHEXFET MOSFET TECHNOLOGYPart Number RDS(on) IDIRFN150 0.07 34AHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. Theefficient geometry design achieves very low on-state re-
irfn130smd.pdf
IRFN130SMDMECHANICAL DATADimensions in mm (inches)NCHANNELPOWER MOSFET FOR HIREL APPLICATIONS VDSS 100VID(cont) 11ARDS(on) 0.19 FEATURES HERMETICALLY SEALED SIMPLE DRIVE REQUIREMENTSSMD1 LIGHTWEIGHTPad 1 Source Pad 2 Drain Pad 3 Gate SCREENING OPTIONS AV
irfn130smd05 irfnj130.pdf
IRFNJ130NIRFN130SMD05MECHANICAL DATADimensions in mm (inches)NCHANNELPOWER MOSFET7.54 (0.296)FOR HIREL0.76 (0.030)min.3.175 (0.125) 2.41 (0.095) 2.41 (0.095) Max.APPLICATIONS 0.127 (0.005)1 3VDSS 100VID(cont) 11A2RDS(on) 0.19FEATURES 0.127 (0.005)16 PLCS 0.127 (0.005) 0.50(0.020) HERMETICALLY SEALED 0.50 (0.020)max.7.26 (0.28
irfn150smd.pdf
IRFN150SMDSEMELABMECHANICAL DATADimensions in mm (inches)NCHANNELPOWER MOSFET VDSS 100V ID(cont) 19A RDS(on) 0.070FEATURES HERMETICALLY SEALED SURFACEMOUNT PACKAGE SMALL FOOTPRINT EFFICIENT USE OFPCB SPACE. SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918