IRFN150SMD. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFN150SMD

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 190 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm

Тип корпуса: SMD1

Аналог (замена) для IRFN150SMD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFN150SMD даташит

 ..1. Size:22K  semelab
 irfn150smd.pdf pdf_icon

IRFN150SMD

IRFN150SMD SEME LAB MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) N CHANNEL POWER MOSFET VDSS 100V ID(cont) 19A RDS(on) 0.070 FEATURES HERMETICALLY SEALED SURFACE MOUNT PACKAGE SMALL FOOTPRINT EFFICIENT USE OF PCB SPACE. SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS

 7.1. Size:166K  international rectifier
 irfn150.pdf pdf_icon

IRFN150SMD

PD - 91547C IRFN150 JANTX2N7224U JANTXV2N7224U POWER MOSFET REF MIL-PRF-19500/592 SURFACE MOUNT(SMD-1) 100V, N-CHANNEL Product Summary HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Part Number RDS(on) ID IRFN150 0.07 34A HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry design achieves very low on-state re-

 9.1. Size:183K  international rectifier
 irfn140.pdf pdf_icon

IRFN150SMD

PD - 91546C IRFN140 JANTX2N7218U JANTXV2N7218U POWER MOSFET REF MIL-PRF-19500/596 SURFACE MOUNT(SMD-1) 100V, N-CHANNEL Product Summary HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Part Number RDS(on) ID IRFN140 0.077 28A HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry design achieves very low on-state re-

 9.2. Size:21K  semelab
 irfn130smd.pdf pdf_icon

IRFN150SMD

IRFN130SMD MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) N CHANNEL POWER MOSFET FOR HI REL APPLICATIONS VDSS 100V ID(cont) 11A RDS(on) 0.19 FEATURES HERMETICALLY SEALED SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS SMD1 LIGHTWEIGHT Pad 1 Source Pad 2 Drain Pad 3 Gate SCREENING OPTIONS AV

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFMG50, IRFMJ044, IRFML8244TRPBF, IRFN044SMD, IRFN054SMD, IRFN130SMD, IRFN130SMD05, IRFN140SMD, 8205A, IRFN214BTAFP001, IRFN240SMD, IRFN250SMD, IRFN254, IRFN340SMD, IRFN3710, IRFN5210, IRFN9130SMD05