Справочник MOSFET. IRFN9530

 

IRFN9530 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRFN9530
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 38 nC
   trⓘ - Время нарастания: 52 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: SMD1

 Аналог (замена) для IRFN9530

 

 

IRFN9530 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:21K  semelab
 irfn9530.pdf

IRFN9530 IRFN9530

IRFN9530MECHANICAL DATADimensions in mm (inches)PCHANNELPOWER MOSFET FOR HIREL APPLICATIONS VDSS -100VID(cont) -12A RDS(on) 0.3FEATURES HERMETICALLY SEALED SIMPLE DRIVE

 9.1. Size:21K  1
 irfn9130smd.pdf

IRFN9530 IRFN9530

IRFN9130SMDMECHANICAL DATADimensions in mm (inches)PCHANNELPOWER MOSFET FOR HIREL APPLICATIONS VDSS -100VID(cont) -9.3A RDS(on) 0.31FEATURES HERMETICALLY SEALED SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS

 9.2. Size:21K  1
 irfn9130.pdf

IRFN9530 IRFN9530

IRFN9130MECHANICAL DATADimensions in mm (inches)PCHANNELPOWER MOSFET FOR HIREL APPLICATIONS VDSS -100VID(cont) -11A RDS(on) 0.3FEATURES HERMETICALLY SEALED SIMPLE DRIVE

 9.3. Size:23K  1
 irfn9140smd.pdf

IRFN9530 IRFN9530

IRFN9140SMDMECHANICAL DATADimensions in mm (inches)PCHANNELPOWER MOSFET VDSS 100V ID(cont) 14A RDS(on) 0.020FEATURES HERMETICALLY SEALED SURFACEMOUNT PACKAGE SMALL FOOTPRINT EFFICIENT USE OFPCB SPACE. SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS

 9.4. Size:171K  international rectifier
 irfn9140.pdf

IRFN9530 IRFN9530

PD - 91553DIRFN9140JANTX2N7236UJANTXV2N7236UREF:MIL-PRF-19500/595POWER MOSFET 100V, P-CHANNELSURFACE MOUNT(SMD-1)HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct Summary Part Number RDS(on) IDIRFN9140 0.20 -18AHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. TheSMD-1efficient geometry design achieves very low on-s

 9.5. Size:183K  international rectifier
 irfn9240.pdf

IRFN9530 IRFN9530

PD - 91554DIRFN9240JANTX2N7237UJANTXV2N7237UREF:MIL-PRF-19500/595POWER MOSFET 200V, P-CHANNELSURFACE MOUNT(SMD-1)HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct Summary Part Number RDS(on) IDIRFN9240 0.51 -11AHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. TheSMD-1efficient geometry design achieves very low on-s

 9.6. Size:21K  semelab
 irfn9130smd05.pdf

IRFN9530 IRFN9530

IRF9130SMD05NIRFN9130SMD05MECHANICAL DATADimensions in mm (inches)PCHANNELPOWER MOSFET FOR HIREL APPLICATIONS VDSS -100VID(cont) -8A RDS(on) 0.35FEATURES HERMETICALLY SEALED

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top