Справочник MOSFET. IRFB7446

 

IRFB7446 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFB7446
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 99 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 123 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 34 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 475 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0033 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFB7446 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:543K  international rectifier
irfb7446pbf.pdfpdf_icon

IRFB7446

StrongIRFET IRFB7446PbF HEXFET Power MOSFET Application Brushed Motor drive applications VDSS 40V D BLDC Motor drive applications RDS(on) typ. 2.6mBattery powered circuits max 3.3m Half-bridge and full-bridge topologies G Synchronous rectifier applications ID (Silicon Limited) 123A Resonant mode power supp

 ..2. Size:543K  international rectifier
irfb7446.pdfpdf_icon

IRFB7446

StrongIRFET IRFB7446PbF HEXFET Power MOSFET Application Brushed Motor drive applications VDSS 40V D BLDC Motor drive applications RDS(on) typ. 2.6mBattery powered circuits max 3.3m Half-bridge and full-bridge topologies G Synchronous rectifier applications ID (Silicon Limited) 123A Resonant mode power supp

 ..3. Size:245K  inchange semiconductor
irfb7446.pdfpdf_icon

IRFB7446

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRFB7446IIRFB7446FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 3.3mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM

 0.1. Size:541K  international rectifier
irfb7446g.pdfpdf_icon

IRFB7446

StrongIRFET IRFB7446GPbF HEXFET Power MOSFET Application Brushed Motor drive applications VDSS 40V D BLDC Motor drive applications RDS(on) typ. 2.6mBattery powered circuits max 3.3m Half-bridge and full-bridge topologies G Synchronous rectifier applications ID (Silicon Limited) 123A Resonant mode power sup

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: MCH3484 | DMN30H4D0L

 

 
Back to Top

 


 
.