IRFP32N50K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRFP32N50K
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 460 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 120 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 550 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm
Тип корпуса: TO247AC
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
IRFP32N50K Datasheet (PDF)
irfp32n50kpbf.pdf

PD - 95052IRFP32N50KPbFSMPS MOSFETHEXFET Power MOSFETAppIicationsl Switch Mode Power Supply (SMPS)VDSS RDS(on)typ. IDl Uninterruptible Power Supplyl High Speed Power Switching500V 0.135 32Al Hard Switched and High FrequencyCircuitsl Lead-FreeBenefitsl Low Gate Charge Qg results in SimpleDrive Requirementl Improved Gate, Avalanche and Dynamicdv/dt Ruggednes
irfp32n50k.pdf

PD - 94099AIRFP32N50KSMPS MOSFETHEXFET Power MOSFETApplications Switch Mode Power Supply (SMPS)VDSS RDS(on)typ. ID Uninterruptible Power Supply High Speed Power Switching 500V 0.135 32A Hard Switched and High FrequencyCircuitsBenefits Low Gate Charge Qg results in SimpleDrive Requirement Improved Gate, Avalanche and Dynamicdv/dt Ruggedness Fully Characterize
irfp32n50k irfp32n50kpbf sihfp32n50k.pdf

IRFP32N50K, SiHFP32N50KVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 500AvailableRequirementRDS(on) ()VGS = 10 V 0.135RoHS* Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtQg (Max.) (nC) 190 COMPLIANTRuggednessQgs (nC) 59 Fully Characterized Capacitance and Avalanche VoltageQgd (nC) 84and CurrentCon
irfp32n50k sihfp32n50k.pdf

IRFP32N50K, SiHFP32N50KVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 500AvailableRequirementRDS(on) ()VGS = 10 V 0.135RoHS* Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtQg (Max.) (nC) 190 COMPLIANTRuggednessQgs (nC) 59 Fully Characterized Capacitance and Avalanche VoltageQgd (nC) 84and CurrentCon
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: R6024ENZ | SLD70R900S2 | AFC4516 | SSF1N90D | VBQF2120 | 2SK1053 | DMN2027USS
History: R6024ENZ | SLD70R900S2 | AFC4516 | SSF1N90D | VBQF2120 | 2SK1053 | DMN2027USS



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
irf9540n datasheet | ss8050 | irfp4668 | mpsa56 | c3205 transistor | tip35c datasheet | 2n5401 datasheet | mj21194g