Справочник MOSFET. IXTY4N65X2

 

IXTY4N65X2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXTY4N65X2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 294 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для IXTY4N65X2

 

 

IXTY4N65X2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:238K  ixys
 ixta4n65x2 ixtp4n65x2 ixty4n65x2.pdf

IXTY4N65X2 IXTY4N65X2

Preliminary Technical InformationX2-Class VDSS = 650VIXTY4N65X2Power MOSFET ID25 = 4AIXTA4N65X2 RDS(on) 850m IXTP4N65X2N-Channel Enhancement ModeTO-252 (IXTY)G SSymbol Test Conditions Maximum Ratings D (Tab)VDSS TJ = 25C to 150C 650 VTO-263 (IXTA)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VVGSS Continuous 30 VG

 ..2. Size:313K  ixys
 ixty4n65x2 ixta4n65x2 ixtp4n65x2.pdf

IXTY4N65X2 IXTY4N65X2

X2-Class VDSS = 650VIXTY4N65X2Power MOSFET ID25 = 4AIXTA4N65X2 RDS(on) 850m IXTP4N65X2N-Channel Enhancement ModeTO-252 (IXTY)G SSymbol Test Conditions Maximum Ratings D (Tab)VDSS TJ = 25C to 150C 650 VTO-263 (IXTA)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VVGSS Continuous 30 VGVGSM Transient 40 VSID25 TC

 7.1. Size:141K  ixys
 ixta4n60p ixtp4n60p ixtu4n60p ixty4n60p.pdf

IXTY4N65X2 IXTY4N65X2

IXTA4N60P VDSS = 600 VPolarHVTMIXTP4N60P ID25 = 4 APower MOSFETIXTU4N60P RDS(on) 2.0 N-Channel Enhancement ModeIXTY4N60PAvalanche RatedTO-263 (IXTA)GSSymbol Test Conditions Maximum Ratings(TAB)VDSS TJ = 25C to 150C 600 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 600 VTO-220 (IXTP)VGSS Continuous 30 VVGSM Transient 40 V

 9.1. Size:284K  ixys
 ixty48p05t ixta48p05t ixtp48p05t.pdf

IXTY4N65X2 IXTY4N65X2

TrenchPTM VDSS = - 50VIXTY48P05TID25 = - 48APower MOSFETIXTA48P05T RDS(on) 30m IXTP48P05TP-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-252 (IXTY)G SD (Tab)TO-263 (IXTA)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 150C - 50 VSVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M - 50 VD (Tab)VGSS Continuous 15

 9.2. Size:187K  ixys
 ixtp44n10t ixty44n10t.pdf

IXTY4N65X2 IXTY4N65X2

Preliminary Technical InformationIXTP44N10T VDSS = 100 VTrenchMVTMIXTY44N10T ID25 = 44 APower MOSFET RDS(on) 30 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated TO-220 (IXTP)D (TAB)GDSTO-252 AA (IXTY)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 175 C 100 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 100 VGVGSM Tr

 9.3. Size:207K  inchange semiconductor
 ixty44n10t.pdf

IXTY4N65X2 IXTY4N65X2

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor IXTY44N10TFEATURESWith To-252(DPAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top