IXTY4N65X2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IXTY4N65X2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 80 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 28 ns
Выходная емкость (Cd): 294 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.85 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для IXTY4N65X2
IXTY4N65X2 Datasheet (PDF)
ixta4n65x2 ixtp4n65x2 ixty4n65x2.pdf
Preliminary Technical InformationX2-Class VDSS = 650VIXTY4N65X2Power MOSFET ID25 = 4AIXTA4N65X2 RDS(on) 850m IXTP4N65X2N-Channel Enhancement ModeTO-252 (IXTY)G SSymbol Test Conditions Maximum Ratings D (Tab)VDSS TJ = 25C to 150C 650 VTO-263 (IXTA)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VVGSS Continuous 30 VG
ixty4n65x2 ixta4n65x2 ixtp4n65x2.pdf
X2-Class VDSS = 650VIXTY4N65X2Power MOSFET ID25 = 4AIXTA4N65X2 RDS(on) 850m IXTP4N65X2N-Channel Enhancement ModeTO-252 (IXTY)G SSymbol Test Conditions Maximum Ratings D (Tab)VDSS TJ = 25C to 150C 650 VTO-263 (IXTA)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VVGSS Continuous 30 VGVGSM Transient 40 VSID25 TC
ixta4n60p ixtp4n60p ixtu4n60p ixty4n60p.pdf
IXTA4N60P VDSS = 600 VPolarHVTMIXTP4N60P ID25 = 4 APower MOSFETIXTU4N60P RDS(on) 2.0 N-Channel Enhancement ModeIXTY4N60PAvalanche RatedTO-263 (IXTA)GSSymbol Test Conditions Maximum Ratings(TAB)VDSS TJ = 25C to 150C 600 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 600 VTO-220 (IXTP)VGSS Continuous 30 VVGSM Transient 40 V
ixty48p05t ixta48p05t ixtp48p05t.pdf
TrenchPTM VDSS = - 50VIXTY48P05TID25 = - 48APower MOSFETIXTA48P05T RDS(on) 30m IXTP48P05TP-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-252 (IXTY)G SD (Tab)TO-263 (IXTA)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 150C - 50 VSVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M - 50 VD (Tab)VGSS Continuous 15
ixtp44n10t ixty44n10t.pdf
Preliminary Technical InformationIXTP44N10T VDSS = 100 VTrenchMVTMIXTY44N10T ID25 = 44 APower MOSFET RDS(on) 30 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated TO-220 (IXTP)D (TAB)GDSTO-252 AA (IXTY)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 175 C 100 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 100 VGVGSM Tr
ixty44n10t.pdf
INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor IXTY44N10TFEATURESWith To-252(DPAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
