IXTY4N65X2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXTY4N65X2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 294 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для IXTY4N65X2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTY4N65X2 даташит

 ..1. Size:238K  ixys
 ixta4n65x2 ixtp4n65x2 ixty4n65x2.pdf pdf_icon

IXTY4N65X2

Preliminary Technical Information X2-Class VDSS = 650V IXTY4N65X2 Power MOSFET ID25 = 4A IXTA4N65X2 RDS(on) 850m IXTP4N65X2 N-Channel Enhancement Mode TO-252 (IXTY) G S Symbol Test Conditions Maximum Ratings D (Tab) VDSS TJ = 25 C to 150 C 650 V TO-263 (IXTA) VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 650 V VGSS Continuous 30 V G

 ..2. Size:313K  ixys
 ixty4n65x2 ixta4n65x2 ixtp4n65x2.pdf pdf_icon

IXTY4N65X2

X2-Class VDSS = 650V IXTY4N65X2 Power MOSFET ID25 = 4A IXTA4N65X2 RDS(on) 850m IXTP4N65X2 N-Channel Enhancement Mode TO-252 (IXTY) G S Symbol Test Conditions Maximum Ratings D (Tab) VDSS TJ = 25 C to 150 C 650 V TO-263 (IXTA) VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 650 V VGSS Continuous 30 V G VGSM Transient 40 V S ID25 TC

 7.1. Size:141K  ixys
 ixta4n60p ixtp4n60p ixtu4n60p ixty4n60p.pdf pdf_icon

IXTY4N65X2

IXTA4N60P VDSS = 600 V PolarHVTM IXTP4N60P ID25 = 4 A Power MOSFET IXTU4N60P RDS(on) 2.0 N-Channel Enhancement Mode IXTY4N60P Avalanche Rated TO-263 (IXTA) G S Symbol Test Conditions Maximum Ratings (TAB) VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 600 V TO-220 (IXTP) VGSS Continuous 30 V VGSM Transient 40 V

 9.1. Size:284K  ixys
 ixty48p05t ixta48p05t ixtp48p05t.pdf pdf_icon

IXTY4N65X2

TrenchPTM VDSS = - 50V IXTY48P05T ID25 = - 48A Power MOSFET IXTA48P05T RDS(on) 30m IXTP48P05T P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-252 (IXTY) G S D (Tab) TO-263 (IXTA) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VDSS TJ = 25 C to 150 C - 50 V S VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M - 50 V D (Tab) VGSS Continuous 15

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXZ308N120, IXZ2210N50L, IXZ210N50L, IXUN350N10, IXUC200N055, IXUC100N055, IXTY90N055T2, IXTY8N65X2, IRF520, IXTY2N65X2, IXTY1R4N120P, IXTY1N120P, IXTX210P10T, IXTX20N150, IXTX120P20T, IXTX120N65X2, IXTX102N65X2