Справочник MOSFET. IXTQ32N65X

 

IXTQ32N65X Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTQ32N65X
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 49 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1600 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.135 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTQ32N65X Datasheet (PDF)

 ..1. Size:212K  ixys
 ixth32n65x ixtp32n65x ixtq32n65x.pdf pdf_icon

IXTQ32N65X

Preliminary Technical InformationX-Class VDSS = 650VIXTP32N65XPower MOSFET ID25 = 32AIXTQ32N65X RDS(on) 135m IXTH32N65XN-Channel Enhancement ModeTO-220AB (IXTP)GD TabSSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-3P (IXTQ)VDSS TJ = 25C to 150C 650 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VGVGSS Continuous 30 V

 9.1. Size:142K  ixys
 ixth30n50l2-ixtq30n50l2-ixtt30n50l2.pdf pdf_icon

IXTQ32N65X

IXTH30N50L2 VDSS = 500VLinear L2TM PowerIXTQ30N50L2 ID25 = 30AMOSFET with extended IXTT30N50L2 RDS(on) 200m FBSOADDDDO DON-Channel Enhancement ModeTO-247 (IXTH)RGiwwG OO(TAB)SSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 500 VTO-3P (IXTQ)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 500 VVGSS Continu

 9.2. Size:336K  ixys
 ixth30n50p ixtq30n50p ixtt30n50p ixtv30n50p.pdf pdf_icon

IXTQ32N65X

VDSS = 500 VIXTH 30N50PPolarHVTMID25 = 30 AIXTQ 30N50PPower MOSFET RDS(on) 200 m IXTT 30N50PN-Channel Enhancement ModeIXTV 30N50PAvalanche RatedIXTV 30N50PSTO-247 AD (IXTH)(TAB)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-3P (IXTQ)VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 VVGSS Continuo

 9.3. Size:361K  ixys
 ixth36n50p ixtq36n50p ixtt36n50p ixtv36n50p.pdf pdf_icon

IXTQ32N65X

IXTH 36N50P VDSS = 500 VPolarHVTMIXTQ 36N50P ID25 = 36 APower MOSFET IXTT 36N50P RDS(on) 170 m IXTV 36N50PN-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated IXTV 36N50PSTO-3P (IXTQ)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VGVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 V(TAB)DSVGS Continuous 30 VVGS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXTT12N150 , IXTT02N450HV , IXTR68P20T , IXTR210P10T , IXTR140P10T , IXTR120P20T , IXTR102N65X2 , IXTQ80N28T , IRFP064N , IXTQ180N055T , IXTQ130N20T , IXTP8N65X2M , IXTP8N65X2 , IXTP80N075L2 , IXTP7N50A , IXTP7N50 , IXTP7N45A .

History: 2SK2756-01R

 

 
Back to Top

 


 
.