IXTQ32N65X Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IXTQ32N65X
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 49 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1600 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.135 Ohm
Тип корпуса: TO-3P
Аналог (замена) для IXTQ32N65X
IXTQ32N65X Datasheet (PDF)
ixth32n65x ixtp32n65x ixtq32n65x.pdf

Preliminary Technical InformationX-Class VDSS = 650VIXTP32N65XPower MOSFET ID25 = 32AIXTQ32N65X RDS(on) 135m IXTH32N65XN-Channel Enhancement ModeTO-220AB (IXTP)GD TabSSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-3P (IXTQ)VDSS TJ = 25C to 150C 650 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VGVGSS Continuous 30 V
ixth30n50l2-ixtq30n50l2-ixtt30n50l2.pdf

IXTH30N50L2 VDSS = 500VLinear L2TM PowerIXTQ30N50L2 ID25 = 30AMOSFET with extended IXTT30N50L2 RDS(on) 200m FBSOADDDDO DON-Channel Enhancement ModeTO-247 (IXTH)RGiwwG OO(TAB)SSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 500 VTO-3P (IXTQ)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 500 VVGSS Continu
ixth30n50p ixtq30n50p ixtt30n50p ixtv30n50p.pdf

VDSS = 500 VIXTH 30N50PPolarHVTMID25 = 30 AIXTQ 30N50PPower MOSFET RDS(on) 200 m IXTT 30N50PN-Channel Enhancement ModeIXTV 30N50PAvalanche RatedIXTV 30N50PSTO-247 AD (IXTH)(TAB)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-3P (IXTQ)VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 VVGSS Continuo
ixth36n50p ixtq36n50p ixtt36n50p ixtv36n50p.pdf

IXTH 36N50P VDSS = 500 VPolarHVTMIXTQ 36N50P ID25 = 36 APower MOSFET IXTT 36N50P RDS(on) 170 m IXTV 36N50PN-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated IXTV 36N50PSTO-3P (IXTQ)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VGVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 V(TAB)DSVGS Continuous 30 VVGS
Другие MOSFET... IXTT12N150 , IXTT02N450HV , IXTR68P20T , IXTR210P10T , IXTR140P10T , IXTR120P20T , IXTR102N65X2 , IXTQ80N28T , IRFP064N , IXTQ180N055T , IXTQ130N20T , IXTP8N65X2M , IXTP8N65X2 , IXTP80N075L2 , IXTP7N50A , IXTP7N50 , IXTP7N45A .
History: BUK7675-100A | SIR410DP | AP02N60I | 2N4351 | TD381BA | DMTH6009LK3 | 2SJ606-Z
History: BUK7675-100A | SIR410DP | AP02N60I | 2N4351 | TD381BA | DMTH6009LK3 | 2SJ606-Z



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
bu406 | j201 datasheet | 2n5088 datasheet | irfp064n | tip31 transistor | 2sc1384 | mj21196g | irfb4115