IXTP8N65X2M - аналоги и даташиты транзистора

 

IXTP8N65X2M - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IXTP8N65X2M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 495 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для IXTP8N65X2M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTP8N65X2M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:116K  ixys
 ixtp8n65x2m.pdf pdf_icon

IXTP8N65X2M

Advance Technical InformationX2-Class VDSS = 650VIXTP8N65X2MPower MOSFET ID25 = 4A RDS(on) 550m (Electrically Isolated Tab)N-Channel Enhancement ModeOVERMOLDEDSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 650 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VGDSVGSS Continuous 30 VVGSM Transient 40 V

 4.1. Size:238K  ixys
 ixta8n65x2 ixtp8n65x2 ixty8n65x2.pdf pdf_icon

IXTP8N65X2M

Preliminary Technical InformationX2-Class VDSS = 650VIXTY8N65X2Power MOSFET ID25 = 8AIXTA8N65X2 RDS(on) 500m IXTP8N65X2N-Channel Enhancement ModeTO-252 (IXTY)G SSymbol Test Conditions Maximum RatingsD (Tab)VDSS TJ = 25C to 150C 650 VTO-263 (IXTA)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VVGSS Continuous 30 VG

 8.1. Size:106K  ixys
 ixtp8n50pm.pdf pdf_icon

IXTP8N65X2M

Preliminary Technical InformationIXTP 8N50PM VDSS = 500 VPolarHVTMID25 = 4 APower MOSFET RDS(on) 0.8 (Electrically Isolated Tab)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsOVERMOLDED TO-220(IXTP...M) OUTLINEVDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 VVGS

 8.2. Size:229K  ixys
 ixta8n50p ixtp8n50p.pdf pdf_icon

IXTP8N65X2M

IXTA 8N50P VDSS = 500 VPolarHVTMIXTP 8N50P ID25 = 8 APower MOSFET RDS(on) 0.8 N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (IXTA)VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 VGVGS Continuous 30 VSVGSM Transient 40 V(TAB)ID25 TC = 25 C8 AIDM

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXTR210P10T , IXTR140P10T , IXTR120P20T , IXTR102N65X2 , IXTQ80N28T , IXTQ32N65X , IXTQ180N055T , IXTQ130N20T , IRF3205 , IXTP8N65X2 , IXTP80N075L2 , IXTP7N50A , IXTP7N50 , IXTP7N45A , IXTP7N45 , IXTP6N60A , IXTP6N60 .

 

 
Back to Top

 


 
.