Справочник MOSFET. IXTP4N95A

 

IXTP4N95A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTP4N95A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 950 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.3 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для IXTP4N95A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTP4N95A Datasheet (PDF)

 8.1. Size:238K  ixys
ixta4n65x2 ixtp4n65x2 ixty4n65x2.pdfpdf_icon

IXTP4N95A

Preliminary Technical InformationX2-Class VDSS = 650VIXTY4N65X2Power MOSFET ID25 = 4AIXTA4N65X2 RDS(on) 850m IXTP4N65X2N-Channel Enhancement ModeTO-252 (IXTY)G SSymbol Test Conditions Maximum Ratings D (Tab)VDSS TJ = 25C to 150C 650 VTO-263 (IXTA)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VVGSS Continuous 30 VG

 8.2. Size:313K  ixys
ixty4n65x2 ixta4n65x2 ixtp4n65x2.pdfpdf_icon

IXTP4N95A

X2-Class VDSS = 650VIXTY4N65X2Power MOSFET ID25 = 4AIXTA4N65X2 RDS(on) 850m IXTP4N65X2N-Channel Enhancement ModeTO-252 (IXTY)G SSymbol Test Conditions Maximum Ratings D (Tab)VDSS TJ = 25C to 150C 650 VTO-263 (IXTA)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VVGSS Continuous 30 VGVGSM Transient 40 VSID25 TC

Другие MOSFET... IXTP80N075L2 , IXTP7N50A , IXTP7N50 , IXTP7N45A , IXTP7N45 , IXTP6N60A , IXTP6N60 , IXTP64N10L2 , IRF1404 , IXTP4N95 , IXTP4N90A , IXTP4N90 , IXTP4N80A , IXTP4N80 , IXTP4N65X2 , IXTP4N50A , IXTP4N50 .

History: 19N10L-TN3-R | 2SK3834 | 2SK2687-01 | UT3443 | 3SK207 | 2SK2809-01MR | IXFR48N60P

 

 
Back to Top

 


 
.