Справочник MOSFET. IXTP4N80A

 

IXTP4N80A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTP4N80A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTP4N80A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:64K  ixys
 ixtm4n80 ixtm4n80a ixtm4n90 ixtm4n90a ixtp4n80 ixtp4n80a ixtp4n90 ixtp4n90a.pdf pdf_icon

IXTP4N80A

 8.1. Size:238K  ixys
 ixta4n65x2 ixtp4n65x2 ixty4n65x2.pdf pdf_icon

IXTP4N80A

Preliminary Technical InformationX2-Class VDSS = 650VIXTY4N65X2Power MOSFET ID25 = 4AIXTA4N65X2 RDS(on) 850m IXTP4N65X2N-Channel Enhancement ModeTO-252 (IXTY)G SSymbol Test Conditions Maximum Ratings D (Tab)VDSS TJ = 25C to 150C 650 VTO-263 (IXTA)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VVGSS Continuous 30 VG

 8.2. Size:313K  ixys
 ixty4n65x2 ixta4n65x2 ixtp4n65x2.pdf pdf_icon

IXTP4N80A

X2-Class VDSS = 650VIXTY4N65X2Power MOSFET ID25 = 4AIXTA4N65X2 RDS(on) 850m IXTP4N65X2N-Channel Enhancement ModeTO-252 (IXTY)G SSymbol Test Conditions Maximum Ratings D (Tab)VDSS TJ = 25C to 150C 650 VTO-263 (IXTA)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VVGSS Continuous 30 VGVGSM Transient 40 VSID25 TC

 8.3. Size:66K  ixys
 ixtm4n100 ixtm4n100a ixtm4n95 ixtm4n95a ixtp4n100 ixtp4n100a ixtp4n95 ixtp4n95a.pdf pdf_icon

IXTP4N80A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXTP7N45 , IXTP6N60A , IXTP6N60 , IXTP64N10L2 , IXTP4N95A , IXTP4N95 , IXTP4N90A , IXTP4N90 , 10N60 , IXTP4N80 , IXTP4N65X2 , IXTP4N50A , IXTP4N50 , IXTP4N45A , IXTP4N45 , IXTP4N100A , IXTP4N100 .

History: FDS4141

 

 
Back to Top

 


 
.