Справочник MOSFET. IXTP4N100

 

IXTP4N100 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTP4N100
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для IXTP4N100

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTP4N100 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:238K  ixys
ixta4n65x2 ixtp4n65x2 ixty4n65x2.pdfpdf_icon

IXTP4N100

Preliminary Technical InformationX2-Class VDSS = 650VIXTY4N65X2Power MOSFET ID25 = 4AIXTA4N65X2 RDS(on) 850m IXTP4N65X2N-Channel Enhancement ModeTO-252 (IXTY)G SSymbol Test Conditions Maximum Ratings D (Tab)VDSS TJ = 25C to 150C 650 VTO-263 (IXTA)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VVGSS Continuous 30 VG

 8.2. Size:313K  ixys
ixty4n65x2 ixta4n65x2 ixtp4n65x2.pdfpdf_icon

IXTP4N100

X2-Class VDSS = 650VIXTY4N65X2Power MOSFET ID25 = 4AIXTA4N65X2 RDS(on) 850m IXTP4N65X2N-Channel Enhancement ModeTO-252 (IXTY)G SSymbol Test Conditions Maximum Ratings D (Tab)VDSS TJ = 25C to 150C 650 VTO-263 (IXTA)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VVGSS Continuous 30 VGVGSM Transient 40 VSID25 TC

Другие MOSFET... IXTP4N80A , IXTP4N80 , IXTP4N65X2 , IXTP4N50A , IXTP4N50 , IXTP4N45A , IXTP4N45 , IXTP4N100A , IRFB4115 , IXTP3N90A , IXTP3N90 , IXTP3N80A , IXTP3N80 , IXTP32N65XM , IXTP32N65X , IXTP2N95A , IXTP2N95 .

History: GSM7402 | PSMN1R1-30PL | NCE70N900K | STW27NM60ND

 

 
Back to Top

 


 
.