IRFP240FI. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFP240FI

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 85 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm

Тип корпуса: ISOWATT218

Аналог (замена) для IRFP240FI

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFP240FI даташит

 ..1. Size:277K  st
 irfp240 irfp240fi.pdf pdf_icon

IRFP240FI

 7.1. Size:873K  international rectifier
 irfp240 irfp240pbf.pdf pdf_icon

IRFP240FI

PD - 95006 IRFP240PbF Lead-Free 2/11/04 Document Number 91210 www.vishay.com 1 IRP240PbF www.vishay.com Document Number 91210 2 IRFP240PbF Document Number 91210 www.vishay.com 3 IRP240PbF Document Number 91210 www.vishay.com 4 IRFP240PbF Document Number 91210 www.vishay.com 5 IRP240PbF Document Number 91210 www.vishay.com 6 IRFP240PbF TO-247AC Package Outl

 7.2. Size:490K  international rectifier
 irfp240 irfp241 irfp242 irfp243.pdf pdf_icon

IRFP240FI

 7.3. Size:933K  samsung
 irfp240a.pdf pdf_icon

IRFP240FI

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 200 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.18 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 20 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 200V Lower RDS(ON) 0.144 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic Va

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFP22N50A, IRFP230, IRFP231, IRFP232, IRFP233, APT50M38JLL, IRFP240, IRFP240A, IRF840, IRFP241, IRFP242, IRFP243, IRFP244, IRFP244A, IRFP245, IRFP250, IRFP250A