Справочник MOSFET. IXTM7N50A

 

IXTM7N50A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTM7N50A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 155 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
   Тип корпуса: TO3
 

 Аналог (замена) для IXTM7N50A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTM7N50A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:64K  ixys
 ixtm7n45 ixtm7n45a ixtm7n50 ixtm7n50a ixtp7n45 ixtp7n45a ixtp7n50 ixtp7n50a.pdf pdf_icon

IXTM7N50A

 9.1. Size:579K  ixys
 ixth67n10 ixtm67n10 ixth75n10 ixtm75n10 ixtt75n10.pdf pdf_icon

IXTM7N50A

VDSS ID25 RDS(on)MegaMOSTMFETIXTH / IXTM 67N10100 V 67 A 25 mIXTH / IXTM 75N10100 V 75 A 20 mIXTT 75N10N-Channel Enhancement ModeTO-247 AD (IXTH)Symbol Test Conditions Maximum Ratings(TAB)VDSS TJ = 25C to 150C 100 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 100 VTO-204 AE (IXTM)VGS Continuous 20 VVGSM Transient 30

Другие MOSFET... IXTP20N65XM , IXTP20N65X , IXTP180N055T , IXTP160N085T , IXTP12N65X2 , IXTN210P10T , IXTN120P20T , IXTN102N65X2 , TK10A60D , IXTM7N50 , IXTM7N45A , IXTM7N45 , IXTM6N60A , IXTM6N60 , IXTM4N95A , IXTM4N95 , IXTM4N90A .

History: 2SK3850D | GSM3414A | GSM1013 | AON6144 | 2SK3046 | 2SK1345 | 2SK3666-3-TB-E

 

 
Back to Top

 


 
.