Справочник MOSFET. IXTM3N90

 

IXTM3N90 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTM3N90
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6 Ohm
   Тип корпуса: TO3
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTM3N90 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:65K  ixys
 ixtm3n80 ixtm3n80a ixtm3n90 ixtm3n90a ixtp3n80 ixtp3n80a ixtp3n90 ixtp3n90a.pdf pdf_icon

IXTM3N90

 9.1. Size:55K  ixys
 ixth35n30 ixtm35n30 ixth40n30 ixtm40n30.pdf pdf_icon

IXTM3N90

VDSS ID25 RDS(on) IXTH/IXTM 35 N30 300 V 35 A 0.10 MegaMOSTMFETIXTH 40 N30 300 V 40 A 0.085 IXTM 40 N30 300 V 40 A 0.088 N-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXTH)VDSS TJ = 25C to 150C 300 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 300 VVGS Continuous 20 VVGSM Tra

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: CET04N10 | H5N2004DS

 

 
Back to Top

 


 
.