IXTM2N95. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXTM2N95

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 950 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7 Ohm

Тип корпуса: TO3

Аналог (замена) для IXTM2N95

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTM2N95 даташит

 9.1. Size:316K  ixys
ixth15n60 ixtm15n60 ixth20n60 ixtm20n60.pdfpdf_icon

IXTM2N95

Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine

 9.2. Size:105K  ixys
ixth20n60 ixtm20n60.pdfpdf_icon

IXTM2N95

IXTH 20N60 VDSS = 600 V MegaMOSTMFET IXTM 20N60 ID25 = 20 A RDS(on) = 0.35 N-Channel Enhancement Mode Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXTH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 600 V VGS Continuous 20 V D (TAB) VGSM Transient 30 V ID25 TC = 25 C 15N60 15 A TO-204 AE (IXTM) 20N60 20 A IDM TC = 25 C, p

 9.3. Size:108K  ixys
ixth21n50 ixth24n50 ixtm21n50 ixtm24n50.pdfpdf_icon

IXTM2N95

VDSS ID25 RDS(on) MegaMOSTMFET IXTH / IXTM 21N50 500 V 21 A 0.25 IXTH / IXTM 24N50 500 V 24 A 0.23 N-Channel Enhancement Mode Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXTH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 V D (TAB) VGS Continuous 20 V VGSM Transient 30 V ID25 TC = 25 C 21N50 21 A

Другие IGBT... IXTM4N45, IXTM4N100A, IXTM4N100, IXTM3N90A, IXTM3N90, IXTM3N80A, IXTM3N80, IXTM2N95A, SI2302, IXTM2N100A, IXTM2N100, IXTM15N50A, IXTM15N45A, IXTM12N50, IXTM12N45A, IXTM12N45, IXTM10N60A