IXTK20N150 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IXTK20N150
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1250 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 1500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 215 nC
Время нарастания (tr): 30 ns
Выходная емкость (Cd): 487 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1 Ohm
Тип корпуса: TO-264
Аналог (замена) для IXTK20N150
IXTK20N150 Datasheet (PDF)
ixtk20n150 ixtx20n150.pdf
High Voltage PowerVDSS = 1500VIXTK20N150MOSFETs w/ ExtendedID25 = 20AIXTX20N150FBSOARDS(on)
ixtk200n10p.pdf
VDSS = 100 VIXTK 200N10PPolarHTTMID25 = 200 APower MOSFET RDS(on) 7.5 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-264 (IXTK)VDSS TJ = 25 C to 175 C 100 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 100 VVGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VGID25 TC = 25 C 200 AD(TAB)SID
ixtk250n10.pdf
IXTK 250N10 VDSS = 100 VHigh CurrentID25 = 250 AMegaMOSTMFETRDS(on) = 5 mN-Channel Enhancement ModeSymbol Test conditions Maximum ratingsTO-264 AA (IXTK)VDSS TJ = 25C to 150C 100 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1.0 M 100 VVGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VD (TAB)GID25 TC = 25C MOSFET chip capability 250 ADID(RMS) Externa
ixtk210p10t ixtx210p10t.pdf
Advance Technical InformationTrenchPTM VDSS = - 100VIXTK210P10TPower MOSFETs ID25 = - 210AIXTX210P10T RDS(on) 7.5m trr 200nsP-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic RectifierTO-264 (IXTK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 150C -100 V DSVDGR TJ = 25C to 150C, RGS
ixtk21n100 ixtn21n100.pdf
IXTK 21N100 VDSS = 1000 VHigh VoltageIXTN 21N100 ID25 = 21 AMegaMOSTMFETsRDS(on) = 0.55 N-Channel, Enhancement ModeTO-264 AA (IXTK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsIXTK IXTNVDSS TJ = 25C to 150C 1000 1000 VGD (TAB)DVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 1000 1000 VSVGS Continuous 20 20 VminiBLOC, SOT-227 BVGSM Transient 30
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
