Справочник MOSFET. IXTH15N70

 

IXTH15N70 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTH15N70
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 43 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm
   Тип корпуса: TO-247AD
 

 Аналог (замена) для IXTH15N70

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTH15N70 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:148K  ixys
ixth15n70.pdfpdf_icon

IXTH15N70

IXTH15N70 PCB24IXTH 15N70 VDSS = 700 VMegaMOSTMFET ID (cont) = 15 ARDS(on) = 0.45 N-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 ADVDSS TJ = 25C to 150C 700 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 700 VVGS Continuous 20 V D (TAB)VGSM Transient 30 VID25 T

 7.2. Size:316K  ixys
ixth15n60 ixtm15n60 ixth20n60 ixtm20n60.pdfpdf_icon

IXTH15N70

Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine

Другие MOSFET... IXTH20N65X , IXTH1R8N220P3HV , IXTH1R4N250P3 , IXTH1N450HV , IXTH1N300P3HV , IXTH1N200P3HV , IXTH1N200P3 , IXTH1N170DHV , AON6414A , IXTH15N50A , IXTH15N45A , IXTH140P10T , IXTH12N65X2 , IXTH12N50 , IXTH12N45A , IXTH12N45 , IXTH12N150 .

History: AP4455GEH-HF | MRF166W | HM2P10PR | 2SK2032 | 2N65KL-TF3-T | PDN3611S

 

 
Back to Top

 


 
.