Справочник MOSFET. IXTH15N50A

 

IXTH15N50A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTH15N50A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для IXTH15N50A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTH15N50A Datasheet (PDF)

 5.1. Size:133K  ixys
ixth15n50l2-ixtp15n50l2.pdfpdf_icon

IXTH15N50A

Linear L2TM Power VDSS = 500VIXTH15N50L2MOSFET w/Extended ID25 = 15AIXTP15N50L2 RDS(on) 480m FBSOAN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-220 (IXTP)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 500 VG (TAB)DVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 500 VSVGSS Continuous 20 VTO-247 (IXTH)VGSM Transient 30

 7.2. Size:148K  ixys
ixth15n70.pdfpdf_icon

IXTH15N50A

IXTH15N70 PCB24IXTH 15N70 VDSS = 700 VMegaMOSTMFET ID (cont) = 15 ARDS(on) = 0.45 N-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 ADVDSS TJ = 25C to 150C 700 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 700 VVGS Continuous 20 V D (TAB)VGSM Transient 30 VID25 T

Другие MOSFET... IXTH1R8N220P3HV , IXTH1R4N250P3 , IXTH1N450HV , IXTH1N300P3HV , IXTH1N200P3HV , IXTH1N200P3 , IXTH1N170DHV , IXTH15N70 , P55NF06 , IXTH15N45A , IXTH140P10T , IXTH12N65X2 , IXTH12N50 , IXTH12N45A , IXTH12N45 , IXTH12N150 , IXTH10N60A .

History: IRL3803V

 

 
Back to Top

 


 
.