Справочник MOSFET. IXTH12N45A

 

IXTH12N45A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTH12N45A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 450 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для IXTH12N45A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTH12N45A Datasheet (PDF)

 7.1. Size:175K  ixys
ixtt12n150 ixth12n150.pdfpdf_icon

IXTH12N45A

High Voltage VDSS = 1500VIXTT12N150ID25 = 12APower MOSFETIXTH12N150 RDS(on) 2.2 N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeTO-268 (IXTT)GSymbol Test Conditions Maximum RatingsSVDSS TJ = 25C to 150C 1500 VD (Tab)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 1500 VVGSS Continuous 30 VTO-247 (IXTH)VG

 7.2. Size:105K  ixys
ixth10n100 ixtm10n100 ixth12n100 ixtm12n100.pdfpdf_icon

IXTH12N45A

VDSS ID25 RDS(on)MegaMOSTMFET IXTH / IXTM 10N100 1000 V 10 A 1.20 IXTH / IXTM 12N100 1000 V 12 A 1.05 N-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXTH)VDSS TJ = 25C to 150C 1000 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 1000 VVGS Continuous 20 V D (TAB)VGSM Transient 30 VID25 TC = 25C 10N

Другие MOSFET... IXTH1N200P3 , IXTH1N170DHV , IXTH15N70 , IXTH15N50A , IXTH15N45A , IXTH140P10T , IXTH12N65X2 , IXTH12N50 , IRFB4115 , IXTH12N45 , IXTH12N150 , IXTH10N60A , IXTH10N60 , IXTH06N220P3HV , IXTH05N250P3HV , IXTH04N300P3HV , IXTH02N450HV .

History: MSU11N50Q | 6N65KG-TF3-T | UT30P04

 

 
Back to Top

 


 
.