IXTA3N120TRL. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXTA3N120TRL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.5 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для IXTA3N120TRL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTA3N120TRL даташит

 ..1. Size:560K  ixys
 ixta3n120trl.pdf pdf_icon

IXTA3N120TRL

VDSS ID25 RDS(on) High Voltage IXTA 3N120 Power MOSFETs 1200 V 3 A 4.5 IXTP 3N120 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220 (IXTP) VDSS TJ = 25 C to 150 C 1200 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 1200 V VGS Continuous 20 V D (TAB) G VGSM Transient 30 V D S ID25 TC = 25 C3 A IDM TC =

 5.1. Size:562K  ixys
 ixta3n120 ixtp3n120.pdf pdf_icon

IXTA3N120TRL

VDSS ID25 RDS(on) High Voltage IXTA 3N120 Power MOSFETs 1200 V 3 A 4.5 IXTP 3N120 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220 (IXTP) VDSS TJ = 25 C to 150 C 1200 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 1200 V VGS Continuous 20 V D (TAB) G VGSM Transient 30 V D S ID25 TC = 25 C3 A IDM TC =

 5.2. Size:138K  ixys
 ixta3n120hv.pdf pdf_icon

IXTA3N120TRL

High Voltage VDSS = 1200V IXTA3N120HV ID25 = 3A Power MOSFET RDS(on) 4.5 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode TO-263 Symbol Test Conditions Maximum Ratings G S VDSS TJ = 25 C to 150 C 1200 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 1200 V D (Tab) VGSS Continuous 20 V VGSM Transient 30 V G = Gate D

 5.3. Size:175K  ixys
 ixta3n120 ixtp3n120 ixth3n120.pdf pdf_icon

IXTA3N120TRL

High Voltage VDSS = 1200V IXTA3N120 Power MOSFET ID25 = 3A IXTP3N120 RDS(on) 4.5 IXTH3N120 N-Channel Enhancement Mode TO-263 AA (IXTA) Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode G S D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220AB (IXTP) VDSS TJ = 25 C to 150 C 1200 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 1200 V VGSS Continuous

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXTF1N450, IXTF02N450, IXTA8N65X2, IXTA80N075L2, IXTA64N10L2, IXTA4N65X2, IXTA4N150HV, IXTA3N150HV, SPP20N60C3, IXTA3N120HV, IXTA3N100D2HV, IXTA270N04T4, IXTA20N65X, IXTA1N200P3HV, IXTA1N170DHV, IXTA180N055T, IXTA15N50L2