Справочник MOSFET. IXTA08N100D2HV

 

IXTA08N100D2HV Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTA08N100D2HV
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 57 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 24 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 21 Ohm
   Тип корпуса: TO-263HV
 

 Аналог (замена) для IXTA08N100D2HV

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTA08N100D2HV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:186K  ixys
 ixta08n100d2hv.pdf pdf_icon

IXTA08N100D2HV

Advance Technical InformationHigh Voltage VDSX = 1000VIXTA08N100D2HVDepletion Mode ID(on) > 800mAMOSFET RDS(on) 21 N-ChannelTO-263HVGSSymbol Test Conditions Maximum Ratings D (Tab)VDSX TJ = 25C to 150C 1000 VVDGX TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 1000 VG = Gate D = DrainVGSX Continuous 20 VS = Source Tab = Drain

 2.1. Size:177K  ixys
 ixty08n100d2-ixta08n100d2-ixtp08n100d2.pdf pdf_icon

IXTA08N100D2HV

Preliminary Technical InformationDepletion Mode VDSX = 1000VIXTY08N100D2MOSFET ID(on) > 800mAIXTA08N100D2 RDS(on) 21 IXTP08N100D2N-ChannelTO-252 (IXTY)GSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 AA (IXTA)VDSX TJ = 25C to 150C 1000 VVGSX Continuous 20 VVGSM Transient 30 VGSPD TC = 25C60 WD (Tab)TJ -

 2.2. Size:270K  ixys
 ixty08n100d2 ixta08n100d2 ixtp08n100d2.pdf pdf_icon

IXTA08N100D2HV

Depletion Mode VDSX = 1000VIXTY08N100D2MOSFET ID(on) > 800mAIXTA08N100D2 RDS(on) 21 IXTP08N100D2N-ChannelDTO-252 (IXTY)GSGD (Tab)STO-263 AA (IXTA)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSX TJ = 25C to 150C 1000 VSD (Tab)VGSX Continuous 20 VVGSM Transient 30 VTO-220AB (IXTP)PD TC = 25C60 WTJ

 7.1. Size:177K  ixys
 ixty08n50d2-ixta08n50d2-ixtp08n50d2.pdf pdf_icon

IXTA08N100D2HV

Preliminary Technical InformationDepletion Mode VDSX = 500VIXTY08N50D2MOSFET ID(on) > 800mAIXTA08N50D2 RDS(on) 4.6 IXTP08N50D2N-ChannelTO-252 (IXTY)GSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 AA (IXTA)VDSX TJ = 25C to 150C 500 VVGSX Continuous 20 VVGSM Transient 30 VGSPD TC = 25C60 WD (Tab)TJ - 55

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXTA270N04T4 , IXTA20N65X , IXTA1N200P3HV , IXTA1N170DHV , IXTA180N055T , IXTA15N50L2 , IXTA130N10T-TRL , IXTA12N65X2 , IRLB4132 , IXTA05N100HV , IXTA02N450HV , IXTA02N250HV , IXTA02N250 , IXKP35N60C5 , IXKG25N80C , IXFY9130 , IXFY5N50P3 .

 

 
Back to Top

 


 
.