IXTA02N250 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXTA02N250

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 2500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 8 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 450 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для IXTA02N250

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTA02N250 даташит

 0.1. Size:184K  ixys
 ixta02n250hv.pdf pdf_icon

IXTA02N250

Advance Technical Information High Voltage IXTA02N250HV VDSS = 2500V Power MOSFET ID25 = 200mA RDS(on) 450 N-Channel Enhancement Mode Fast Intrinsic Diode TO-263AB G S D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 2500 V G = Gate D = Drain VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 2500 V S = Source Tab = Drain VGSS

 7.1. Size:201K  ixys
 ixta02n450hv ixtt02n450hv.pdf pdf_icon

IXTA02N250

Advance Technical Information High Voltage VDSS = 4500V IXTA02N450HV Power MOSFETs ID25 = 200mA IXTT02N450HV RDS(on) 750 N-Channel Enhancement Mode TO-263 (IXTA) G S D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 4500 V TO-268 (IXTT) VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 4500 V VGSS Continuous 20 V G VGSM Trans

 9.1. Size:177K  ixys
 ixty08n100d2-ixta08n100d2-ixtp08n100d2.pdf pdf_icon

IXTA02N250

Preliminary Technical Information Depletion Mode VDSX = 1000V IXTY08N100D2 MOSFET ID(on) > 800mA IXTA08N100D2 RDS(on) 21 IXTP08N100D2 N-Channel TO-252 (IXTY) G S D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-263 AA (IXTA) VDSX TJ = 25 C to 150 C 1000 V VGSX Continuous 20 V VGSM Transient 30 V G S PD TC = 25 C60 W D (Tab) TJ -

 9.2. Size:270K  ixys
 ixty08n100d2 ixta08n100d2 ixtp08n100d2.pdf pdf_icon

IXTA02N250

Depletion Mode VDSX = 1000V IXTY08N100D2 MOSFET ID(on) > 800mA IXTA08N100D2 RDS(on) 21 IXTP08N100D2 N-Channel D TO-252 (IXTY) G S G D (Tab) S TO-263 AA (IXTA) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VDSX TJ = 25 C to 150 C 1000 V S D (Tab) VGSX Continuous 20 V VGSM Transient 30 V TO-220AB (IXTP) PD TC = 25 C60 W TJ

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXTA180N055T, IXTA15N50L2, IXTA130N10T-TRL, IXTA12N65X2, IXTA08N100D2HV, IXTA05N100HV, IXTA02N450HV, IXTA02N250HV, IRFP450, IXKP35N60C5, IXKG25N80C, IXFY9130, IXFY5N50P3, IXFY4N60P3, IXFX90N60X, IXFX44N55Q, IXFX32N90P