Справочник MOSFET. IXFX30N50Q

 

IXFX30N50Q MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXFX30N50Q
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 416 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 42 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 640 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm
   Тип корпуса: PLUS247

 Аналог (замена) для IXFX30N50Q

 

 

IXFX30N50Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:123K  ixys
ixfk30n50q ixfx30n50q.pdf

IXFX30N50Q
IXFX30N50Q

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFK/IXFX 30N50Q500 V 30 A 0.16 Power MOSFETs IXFK/IXFX 32N50Q500 V 32 A 0.15 Q-Class trr 250 ns N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, Low Qg, High dv/dtSymbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 247TM(IXFX)VDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS

 9.1. Size:161K  ixys
ixfk32n80p ixfx32n80p.pdf

IXFX30N50Q
IXFX30N50Q

IXFK 32N80P VDSS = 800 VPolarHVTM HiPerFETIXFX 32N80P ID25 = 32 APower MOSFET RDS(on) 270 m N-Channel Enhancement Modetrr 250 nsAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-264 (IXFK)VDSS TJ = 25 C to 150 C 800 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 800 VVGSS Contin

 9.2. Size:573K  ixys
ixfk32n50q ixfx32n50q.pdf

IXFX30N50Q
IXFX30N50Q

VDSS ID25 RDS(on)IXFK 32N50QHiPerFETTMIXFX 32N50Q500 V 32 A 0.16 Power MOSFETs 500 V 32 A 0.16 Q-Class trr 250 ns N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, Low Qg, High dv/dtSymbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 247TM(IXFX)VDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M

 9.3. Size:124K  ixys
ixfk32n90p ixfx32n90p.pdf

IXFX30N50Q
IXFX30N50Q

Advance Technical InformationPolarTM HiPerFETTM VDSS = 900VIXFK32N90PPower MOSFETsID25 = 32AIXFX32N90PRDS(on)

 9.4. Size:48K  ixys
ixfk34n80 ixfx34n80.pdf

IXFX30N50Q
IXFX30N50Q

HiPerFETTM IXFK 34N80 VDSS = 800 VIXFX 34N80 ID25 = 34 APower MOSFETsRDS(on) = 0.24 WSingle MOSFET Dietrr 250 nsAvalanche RatedPreliminary data sheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 247TM (IXFX)VDSS TJ = 25C to 150C 800 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 800 V (TAB)GVGS Continuous 20 VDVGSM Transient 30 VID25 TC = 25C34 ATO-264 AA (I

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top