Справочник MOSFET. IXFX12N90Q

 

IXFX12N90Q Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFX12N90Q
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 315 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для IXFX12N90Q

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFX12N90Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:143K  ixys
 ixfx12n90q.pdf pdf_icon

IXFX12N90Q

HiPerFETTMIXFH 12N90Q VDSS = 900 VPower MOSFETsIXFT 12N90Q ID25 = 12 A IXFX 12N90Q RDS(on) = 0.9 Q ClassN-Channel Enhancement Mode trr 200 ns Avalanche RatedLow Qg, High dv/dtPreliminary data sheetSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 AD (IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 900 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M

 8.1. Size:159K  ixys
 ixfk120n65x2 ixfx120n65x2.pdf pdf_icon

IXFX12N90Q

Advance Technical InformationX2-Class HiPerFETTM VDSS = 650VIXFK120N65X2Power MOSFET ID25 = 120AIXFX120N65X2 RDS(on) 24m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeTO-264P (IXFK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 150C 650 VDTabVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 V SVGSS

 8.2. Size:131K  ixys
 ixfk120n30p3 ixfx120n30p3.pdf pdf_icon

IXFX12N90Q

Advance Technical InformationPolar3TM HiPerFETTM VDSS = 300VIXFK120N30P3Power MOSFETs ID25 = 120AIXFX120N30P3 RDS(on) 27m trr 250nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-264 (IXFK)Fast Intrinsic DiodeGDSymbol Test Conditions Maximum RatingsSVDSS TJ = 25C to 150C 300 V TabVDGR TJ = 25C to 150

 8.3. Size:123K  ixys
 ixfk120n25p ixfx120n25p.pdf pdf_icon

IXFX12N90Q

VDSS = 250 VIXFK 120N25PPolarHTTM HiPerFETID25 = 120 AIXFX 120N25PPower MOSFET RDS(on) 24 m N-Channel Enhancement Mode trr 200 ns Fast Intrinsic DiodeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 175C 250 VTO-264 (IXFK)VDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 250 VVGS Continuous

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXFX90N60X , IXFX44N55Q , IXFX32N90P , IXFX30N50Q , IXFX260N17T , IXFX24N100Q3 , IXFX210N17T , IXFX150N30P3 , 2N60 , IXFX120N65X2 , IXFX120N30P3 , IXFX100N65X2 , IXFT9N80Q , IXFT94N30T , IXFT94N30P3 , IXFT70N30Q3 , IXFT50N60X .

History: FDPF320N06L

 

 
Back to Top

 


 
.