Справочник MOSFET. IXFX120N65X2

 

IXFX120N65X2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFX120N65X2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 9000 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
   Тип корпуса: PLUS247
 

 Аналог (замена) для IXFX120N65X2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFX120N65X2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:159K  ixys
 ixfk120n65x2 ixfx120n65x2.pdf pdf_icon

IXFX120N65X2

Advance Technical InformationX2-Class HiPerFETTM VDSS = 650VIXFK120N65X2Power MOSFET ID25 = 120AIXFX120N65X2 RDS(on) 24m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeTO-264P (IXFK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 150C 650 VDTabVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 V SVGSS

 6.1. Size:131K  ixys
 ixfk120n30p3 ixfx120n30p3.pdf pdf_icon

IXFX120N65X2

Advance Technical InformationPolar3TM HiPerFETTM VDSS = 300VIXFK120N30P3Power MOSFETs ID25 = 120AIXFX120N30P3 RDS(on) 27m trr 250nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-264 (IXFK)Fast Intrinsic DiodeGDSymbol Test Conditions Maximum RatingsSVDSS TJ = 25C to 150C 300 V TabVDGR TJ = 25C to 150

 6.2. Size:123K  ixys
 ixfk120n25p ixfx120n25p.pdf pdf_icon

IXFX120N65X2

VDSS = 250 VIXFK 120N25PPolarHTTM HiPerFETID25 = 120 AIXFX 120N25PPower MOSFET RDS(on) 24 m N-Channel Enhancement Mode trr 200 ns Fast Intrinsic DiodeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 175C 250 VTO-264 (IXFK)VDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 250 VVGS Continuous

 6.3. Size:1919K  ixys
 ixfx120n20 ixfk120n20.pdf pdf_icon

IXFX120N65X2

HiPerFETTM IXFX 120N20 VDSS = 200 VIXFK 120N20 ID25 = 120 APower MOSFETsRDS(on) = 17 mSingle MOSFET Die trr 250 ns Preliminary data sheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 247TM (IXFX)VDSS TJ = 25C to 150C 200 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 200 VVGS Continuous 20 V (TAB)GVGSM Transient 30 VDI

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXFX44N55Q , IXFX32N90P , IXFX30N50Q , IXFX260N17T , IXFX24N100Q3 , IXFX210N17T , IXFX150N30P3 , IXFX12N90Q , CS150N03A8 , IXFX120N30P3 , IXFX100N65X2 , IXFT9N80Q , IXFT94N30T , IXFT94N30P3 , IXFT70N30Q3 , IXFT50N60X , IXFT50N20 .

History: SUP45N03-13L | BL8N60-A | NTMFS5834NLT1G | AOTS32334C | AP99T03GP-HF | HCS65R830ST | CS3N70HD

 

 
Back to Top

 


 
.