Справочник MOSFET. IXFX120N65X2

 

IXFX120N65X2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXFX120N65X2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 225 nC
   trⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 9000 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
   Тип корпуса: PLUS247

 Аналог (замена) для IXFX120N65X2

 

 

IXFX120N65X2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:159K  ixys
 ixfk120n65x2 ixfx120n65x2.pdf

IXFX120N65X2 IXFX120N65X2

Advance Technical InformationX2-Class HiPerFETTM VDSS = 650VIXFK120N65X2Power MOSFET ID25 = 120AIXFX120N65X2 RDS(on) 24m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeTO-264P (IXFK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 150C 650 VDTabVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 V SVGSS

 6.1. Size:131K  ixys
 ixfk120n30p3 ixfx120n30p3.pdf

IXFX120N65X2 IXFX120N65X2

Advance Technical InformationPolar3TM HiPerFETTM VDSS = 300VIXFK120N30P3Power MOSFETs ID25 = 120AIXFX120N30P3 RDS(on) 27m trr 250nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-264 (IXFK)Fast Intrinsic DiodeGDSymbol Test Conditions Maximum RatingsSVDSS TJ = 25C to 150C 300 V TabVDGR TJ = 25C to 150

 6.2. Size:123K  ixys
 ixfk120n25p ixfx120n25p.pdf

IXFX120N65X2 IXFX120N65X2

VDSS = 250 VIXFK 120N25PPolarHTTM HiPerFETID25 = 120 AIXFX 120N25PPower MOSFET RDS(on) 24 m N-Channel Enhancement Mode trr 200 ns Fast Intrinsic DiodeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 175C 250 VTO-264 (IXFK)VDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 250 VVGS Continuous

 6.3. Size:1919K  ixys
 ixfx120n20 ixfk120n20.pdf

IXFX120N65X2 IXFX120N65X2

HiPerFETTM IXFX 120N20 VDSS = 200 VIXFK 120N20 ID25 = 120 APower MOSFETsRDS(on) = 17 mSingle MOSFET Die trr 250 ns Preliminary data sheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 247TM (IXFX)VDSS TJ = 25C to 150C 200 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 200 VVGS Continuous 20 V (TAB)GVGSM Transient 30 VDI

 6.4. Size:139K  ixys
 ixfk120n30t ixfx120n30t.pdf

IXFX120N65X2 IXFX120N65X2

Advance Technical InformationGigaMOSTM VDSS = 300VIXFK120N30TID25 = 120APower MOSFETIXFX120N30T RDS(on) 24m trr 200nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeTO-264 (IXFK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 300 VGDVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: TPM6401S3

 

 
Back to Top