Справочник MOSFET. IXFT94N30T

 

IXFT94N30T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXFT94N30T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 890 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 300 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 94 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 190 nC
   Время нарастания (tr): 14 ns
   Выходная емкость (Cd): 917 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.036 Ohm
   Тип корпуса: TO-268

 Аналог (замена) для IXFT94N30T

 

 

IXFT94N30T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:174K  ixys
 ixfh94n30t ixft94n30t.pdf

IXFT94N30T IXFT94N30T

Preliminary Technical InformationTrenchTM HiperFETTM VDSS = 300VIXFT94N30TPower MOSFETs ID25 = 94AIXFH94N30T RDS(on) 36m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-268 (IXFT)Fast Intrinsic RectifierGSSymbol Test Conditions Maximum RatingsD (Tab)VDSS TJ = 25C to 150C 300 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 300 VTO-247 (I

 5.1. Size:145K  ixys
 ixfh94n30p3 ixfq94n30p3 ixft94n30p3.pdf

IXFT94N30T IXFT94N30T

Advance Technical InformationPolar3TM HiperFETTM VDSS = 300VIXFT94N30P3ID25 = 94APower MOSFETsIXFQ94N30P3 RDS(on) 36m IXFH94N30P3N-Channel Enhancement ModeTO-268 (IXFT)Avalanche RatedFast Intrinsic RectifierGSD (Tab)TO-3P (IXFQ)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 300 VGVDGR TJ = 25C to 150C

 9.1. Size:225K  ixys
 ixfh96n20p ixft96n20p ixfv96n20p.pdf

IXFT94N30T IXFT94N30T

IXFH 96N20PPolarHTTM HiPerFETVDSS = 200 VIXFT 96N20PID25 = 96 APower MOSFETIXFV 96N20P RDS(on) 24 m trr 200 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeTO-247 (IXFH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 150 C 200 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 200 V

 9.2. Size:89K  ixys
 ixft9n80q.pdf

IXFT94N30T IXFT94N30T

IXFH 9N80Q VDSS = 800 VHiPerFETTMIXFT 9N80Q ID25 = 9 APower MOSFETsRDS(on) = 1.1 Q-Class N-Channel Enhancement Mode trr 250 nsAvalanche Rated Low Qg, High dv/dtSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 800 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 800 VVGS Continuous 20 VVGSM Transi

Другие MOSFET... IXFX24N100Q3 , IXFX210N17T , IXFX150N30P3 , IXFX12N90Q , IXFX120N65X2 , IXFX120N30P3 , IXFX100N65X2 , IXFT9N80Q , 4N60 , IXFT94N30P3 , IXFT70N30Q3 , IXFT50N60X , IXFT50N20 , IXFT46N30T , IXFT44N50Q3 , IXFT40N50Q , IXFT30N60X .

 

 
Back to Top