IXFT30N60X datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXFT30N60X

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 43 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1610 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.155 Ohm

Тип корпуса: TO-268

Аналог (замена) для IXFT30N60X

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFT30N60X даташит

 ..1. Size:185K  ixys
 ixfh30n60x ixfq30n60x ixft30n60x.pdf pdf_icon

IXFT30N60X

Preliminary Technical Information X-Class HiPerFETTM VDSS = 600V IXFT30N60X Power MOSFET ID25 = 30A IXFQ30N60X RDS(on) 155m IXFH30N60X TO-268 (IXFT) N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated G Fast Intrinsic Diode S D (Tab) TO-3P (IXFQ) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V G VDGR TJ = 25 C to 150

 5.1. Size:583K  ixys
 ixft30n60q.pdf pdf_icon

IXFT30N60X

IXFH 30N60Q VDSS = 600 V HiPerFETTM IXFT 30N60Q ID25 = 30 A Power MOSFETs RDS(on) = 0.23 Q-Class trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low Qg Preliminary Data Sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 600 V (TAB

 5.2. Size:324K  ixys
 ixfh30n60p ixfv30n60p ixft30n60p.pdf pdf_icon

IXFT30N60X

IXFH 30N60P VDSS = 600 V PolarHVTM HiPerFET IXFT 30N60P ID25 = 30 A Power MOSFET IXFV 30N60P RDS(on) 240 m N-Channel Enhancement Mode IXFV 30N60PS trr 200 ns Fast Recovery Diode Avalanche Rated PLUS220 (IXFV) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V G VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS

 7.1. Size:320K  ixys
 ixfh30n50p ixft30n50p ixfv30n50p.pdf pdf_icon

IXFT30N60X

VDSS = 500 V IXFH 30N50P PolarHVTM HiPerFET ID25 = 30 A IXFT 30N50P Power MOSFET RDS(on) 200 m IXFV 30N50P N-Channel Enhancement Mode trr 200 ns IXFV 30N50PS Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode TO-247 AD (IXFH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V D (TAB) VDGR TJ = 25 C to

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXFT94N30T, IXFT94N30P3, IXFT70N30Q3, IXFT50N60X, IXFT50N20, IXFT46N30T, IXFT44N50Q3, IXFT40N50Q, 7N60, IXFT30N60Q, IXFT30N50Q, IXFT28N50Q, IXFT23N80Q, IXFT23N60Q, IXFT18N100Q3, IXFT17N80Q, IXFT150N20T