IXFT30N50Q datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXFT30N50Q

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 360 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 640 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm

Тип корпуса: TO-268

Аналог (замена) для IXFT30N50Q

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFT30N50Q даташит

 ..1. Size:109K  ixys
 ixft30n50q.pdf pdf_icon

IXFT30N50Q

VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM Power MOSFETs IXFH/IXFT 30N50Q 500 V 30 A 0.16 IXFH/IXFT 32N50Q 500 V 32 A 0.15 Q-Class trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS =

 5.1. Size:320K  ixys
 ixfh30n50p ixft30n50p ixfv30n50p.pdf pdf_icon

IXFT30N50Q

VDSS = 500 V IXFH 30N50P PolarHVTM HiPerFET ID25 = 30 A IXFT 30N50P Power MOSFET RDS(on) 200 m IXFV 30N50P N-Channel Enhancement Mode trr 200 ns IXFV 30N50PS Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode TO-247 AD (IXFH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V D (TAB) VDGR TJ = 25 C to

 5.2. Size:110K  ixys
 ixfh30n50 ixfh32n50 ixft30n50 ixft32n50.pdf pdf_icon

IXFT30N50Q

VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM IXFH/IXFT 30N50 500 V 30 A 0.16 W Power MOSFETs IXFH/IXFT 32N50 500 V 32 A 0.15 W N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family trr 250 ns TO-247 AD (IXFH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 500 V VGS Continuous 20 V VGSM Transient 30 V D (TAB) ID25 TC

 7.1. Size:185K  ixys
 ixfh30n60x ixfq30n60x ixft30n60x.pdf pdf_icon

IXFT30N50Q

Preliminary Technical Information X-Class HiPerFETTM VDSS = 600V IXFT30N60X Power MOSFET ID25 = 30A IXFQ30N60X RDS(on) 155m IXFH30N60X TO-268 (IXFT) N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated G Fast Intrinsic Diode S D (Tab) TO-3P (IXFQ) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V G VDGR TJ = 25 C to 150

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXFT70N30Q3, IXFT50N60X, IXFT50N20, IXFT46N30T, IXFT44N50Q3, IXFT40N50Q, IXFT30N60X, IXFT30N60Q, IRFZ46N, IXFT28N50Q, IXFT23N80Q, IXFT23N60Q, IXFT18N100Q3, IXFT17N80Q, IXFT150N20T, IXFT12N100QHV, IXFT120N25T