IXFT12N100QHV datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXFT12N100QHV

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 445 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5.5 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 95 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 305 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.05 Ohm

Тип корпуса: TO-268S

Аналог (замена) для IXFT12N100QHV

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFT12N100QHV даташит

 ..1. Size:148K  ixys
 ixft12n100qhv.pdf pdf_icon

IXFT12N100QHV

Advance Technical Information High Voltage HiPerFETTM VDSS = 1000V IXFT12N100QHV Power MOSFET ID25 = 12A Q-CLASS RDS(on) 1.05 N-Channel Enhancement Mode Fast Intrinsic Diode TO-268S G Symbol Test Conditions Maximum Ratings S VDSS TJ = 25 C to 150 C 1000 V D (Tab) VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 1000 V VGSS Continuous 20 V G = Ga

 3.1. Size:144K  ixys
 ixft12n100q ixfh12n100q ixft10n100q ixfh10n100q.pdf pdf_icon

IXFT12N100QHV

VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM IXFH/IXFT12N100Q 1000 V 12 A 1.05 Power MOSFETs IXFH/IXFT10N100Q 1000 V 10 A 1.20 Q Class trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Low Qg, High dv/dt Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 1000 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS

 4.1. Size:556K  ixys
 ixft10n100 ixft12n100.pdf pdf_icon

IXFT12N100QHV

 7.1. Size:53K  ixys
 ixfh12n90q ixft12n90q.pdf pdf_icon

IXFT12N100QHV

IXFH 12N90Q VDSS = 900 V HiPerFETTM IXFT 12N90Q ID25 = 12 A Power MOSFETs RDS(on) = 0.9 W Q Class N-Channel Enhancement Mode trr 200 ns Avalanche Rated Low Qg, High dv/dt Preliminary data sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 900 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 900 V VGS Continuous 20 V VGSM Transient 30 V ID25 TC

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXFT30N60Q, IXFT30N50Q, IXFT28N50Q, IXFT23N80Q, IXFT23N60Q, IXFT18N100Q3, IXFT17N80Q, IXFT150N20T, EMB04N03H, IXFT120N25T, IXFR80N10Q, IXFR44N50Q3, IXFR27N80Q, IXFR24N100Q3, IXFR12N100F, IXFR10N100F, IXFQ94N30P3