Справочник MOSFET. IXFT120N25T

 

IXFT120N25T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXFT120N25T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 890 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 180 nC
   trⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1025 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
   Тип корпуса: TO-268

 Аналог (замена) для IXFT120N25T

 

 

IXFT120N25T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:180K  ixys
 ixfh120n25t ixft120n25t.pdf

IXFT120N25T IXFT120N25T

Preliminary Technical InformationTrenchTM HiperFETTM VDSS = 250VIXFT120N25TPower MOSFETs ID25 = 120AIXFH120N25T RDS(on) 23m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-268 (IXFT)Fast Intrinsic RectifierGSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 250 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 250 VTO-247

 6.1. Size:177K  ixys
 ixfh120n15p ixft120n15p.pdf

IXFT120N25T IXFT120N25T

IXFH 120N15P VDSS = 150 VPolarHTTM HiPerFETIXFT 120N15P ID25 = 120 APower MOSFET RDS(on) 16 m trr 200 nsN-Channel Enhancement Mode Avalanche Energy RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 (IXFH)VDSS TJ = 25 C to 175 C 150 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 150 VVDSS

 8.1. Size:53K  ixys
 ixfh12n90q ixft12n90q.pdf

IXFT120N25T IXFT120N25T

IXFH 12N90Q VDSS = 900 VHiPerFETTMIXFT 12N90Q ID25 = 12 APower MOSFETsRDS(on) = 0.9 WQ ClassN-Channel Enhancement Modetrr 200 nsAvalanche RatedLow Qg, High dv/dtPreliminary data sheetSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 AD (IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 900 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 900 VVGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VID25 TC

 8.2. Size:148K  ixys
 ixft12n100qhv.pdf

IXFT120N25T IXFT120N25T

Advance Technical InformationHigh Voltage HiPerFETTMVDSS = 1000VIXFT12N100QHVPower MOSFETID25 = 12A Q-CLASS RDS(on) 1.05 N-Channel Enhancement ModeFast Intrinsic DiodeTO-268SGSymbol Test Conditions Maximum RatingsSVDSS TJ = 25C to 150C 1000 VD (Tab)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 1000 VVGSS Continuous 20 VG = Ga

 8.3. Size:144K  ixys
 ixft12n100q ixfh12n100q ixft10n100q ixfh10n100q.pdf

IXFT120N25T IXFT120N25T

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFH/IXFT12N100Q 1000 V 12 A 1.05 Power MOSFETsIXFH/IXFT10N100Q 1000 V 10 A 1.20 Q Class trr 250 ns N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedLow Qg, High dv/dtSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 1000 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS

 8.4. Size:556K  ixys
 ixft10n100 ixft12n100.pdf

IXFT120N25T IXFT120N25T

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFT 10 N100 1000 V 10 A 1.20 Power MOSFETsIXFT12 N100 1000 V 12 A 1.05 N-Channel Enhancement ModeHigh dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family trr 250 ns Preliminary data sheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-268 Case StyleVDSS TJ = 25C to 150C 1000 VVDGR TJ = 25C to 150

Другие MOSFET... IXFT30N50Q , IXFT28N50Q , IXFT23N80Q , IXFT23N60Q , IXFT18N100Q3 , IXFT17N80Q , IXFT150N20T , IXFT12N100QHV , IRFP064N , IXFR80N10Q , IXFR44N50Q3 , IXFR27N80Q , IXFR24N100Q3 , IXFR12N100F , IXFR10N100F , IXFQ94N30P3 , IXFQ60N60X .

History: FHA24N50A

 

 
Back to Top