IXFR80N10Q Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IXFR80N10Q
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 310 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 76 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1600 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
Тип корпуса: ISOPLUS-247
Аналог (замена) для IXFR80N10Q
IXFR80N10Q Datasheet (PDF)
ixfr80n10q.pdf

HiPerFETTM Power MOSFETs IXFR 80N10Q VDSS = 100 VISOPLUS247TM, Q-ClassID25 = 76 A(Electrically Isolated Back Surface)RDS(on) = 15 mWN-Channel Enhancement Modetrr 200 nsAvalanche RatedLow Qg, High dv/dtPreliminary Data SheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 247TME153432VDSS TJ = 25C to 150C 100 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 100 VVGS Cont
ixfr80n50p.pdf

PolarHVTM HiPerFETIXFR 80N50P VDSS = 500 VPower MOSFETID25 = 45 A ISOPLUS247TM RDS(on) 72 mtrr 200 ns(Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VISOPLUS247 (IXFR)VDGR TJ = 25 C to
ixfr80n20q.pdf

HiPerFETTM Power MOSFETs IXFR 80N20Q VDSS = 200 VISOPLUS247TM, Q-ClassID25 = 71 A(Electrically Isolated Back Surface)RDS(on) = 28mWN-Channel Enhancement Modetrr 200 nsAvalanche RatedLow Qg, High dv/dtPreliminary dataSymbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 247TME153432VDSS TJ = 25C to 150C 200 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 200 VVGS Continuous
Другие MOSFET... IXFT28N50Q , IXFT23N80Q , IXFT23N60Q , IXFT18N100Q3 , IXFT17N80Q , IXFT150N20T , IXFT12N100QHV , IXFT120N25T , 2N7002 , IXFR44N50Q3 , IXFR27N80Q , IXFR24N100Q3 , IXFR12N100F , IXFR10N100F , IXFQ94N30P3 , IXFQ60N60X , IXFQ50N60X .
History: 12N70KG-TA3-T | SM9926 | PSMN011-100YSF
History: 12N70KG-TA3-T | SM9926 | PSMN011-100YSF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
irfp140 | ksc2383 datasheet | 2n3906 equivalent | a733 transistor equivalent | 2n5401 transistor datasheet | 2n2222 data sheet | irf3205 datasheet | oc71