IXFP18N60X datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXFP18N60X  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 320 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.23 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IXFP18N60X

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFP18N60X даташит

 ..1. Size:183K  ixys
 ixfa18n60x ixfh18n60x ixfp18n60x.pdf pdf_icon

IXFP18N60X

Preliminary Technical Information X-Class HiPerFETTM VDSS = 600V IXFA18N60X Power MOSFET ID25 = 18A IXFP18N60X RDS(on) 230m IXFH18N60X TO-263 AA (IXFA) N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode G S D (Tab) TO-220AB (IXFP) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V VDGR TJ = 25 C to

 6.1. Size:336K  ixys
 ixfa18n65x2 ixfp18n65x2 ixfh18n65x2.pdf pdf_icon

IXFP18N60X

X2-Class HiPerFETTM VDSS = 650V IXFA18N65X2 Power MOSFET ID25 = 18A IXFP18N65X2 RDS(on) 200m IXFH18N65X2 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-263 (IXFA) G S D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220 VDSS TJ = 25 C to 150 C 650 V (IXFP) VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 650 V VGSS Continuous 30 V VGS

 8.1. Size:208K  ixys
 ixfa180n10t2 ixfp180n10t2.pdf pdf_icon

IXFP18N60X

Preliminary Technical Information TrenchT2TM HiperFETTM VDSS = 100V IXFA180N10T2 Power MOSFET ID25 = 180A IXFP180N10T2 RDS(on) 6m N-Channel Enhancement Mode TO-263 AA (IXFA) Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier G S D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 175 C 100 V TO-220AB (IXFP) VDGR TJ = 25 C to 175 C, RG

 9.1. Size:252K  ixys
 ixfa16n50p ixfh16n50p ixfp16n50p.pdf pdf_icon

IXFP18N60X

IXFA 16N50P VDSS = 500 V PolarHVTM HiPerFET IXFH 16N50P ID25 = 16 A Power MOSFET IXFP 16N50P RDS(on) 400 m trr 200 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-263 (IXTA) VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXFP4N60P3, IXFP36N30P3, IXFP30N60X, IXFP26N50P3, IXFP24N60X, IXFP22N65X2, IXFP20N50P3M, IXFP20N50P3, IRF3710, IXFP16N60P3, IXFP16N50P3, IXFP14N60P3, IXFN94N50P2, IXFN55N50F, IXFN40N110Q3, IXFN260N17T, IXFN210N30P3