Справочник MOSFET. IXFK120N65X2

 

IXFK120N65X2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFK120N65X2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 225 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 9000 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
   Тип корпуса: TO-264P
 

 Аналог (замена) для IXFK120N65X2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFK120N65X2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:159K  ixys
 ixfk120n65x2 ixfx120n65x2.pdf pdf_icon

IXFK120N65X2

Advance Technical InformationX2-Class HiPerFETTM VDSS = 650VIXFK120N65X2Power MOSFET ID25 = 120AIXFX120N65X2 RDS(on) 24m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeTO-264P (IXFK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 150C 650 VDTabVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 V SVGSS

 6.1. Size:395K  ixys
 ixfk110n20 ixfk120n20 ixfn110n20 ixfn120n20.pdf pdf_icon

IXFK120N65X2

This datasheet has been downloaded from http://www.digchip.com at this page

 6.2. Size:131K  ixys
 ixfk120n30p3 ixfx120n30p3.pdf pdf_icon

IXFK120N65X2

Advance Technical InformationPolar3TM HiPerFETTM VDSS = 300VIXFK120N30P3Power MOSFETs ID25 = 120AIXFX120N30P3 RDS(on) 27m trr 250nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-264 (IXFK)Fast Intrinsic DiodeGDSymbol Test Conditions Maximum RatingsSVDSS TJ = 25C to 150C 300 V TabVDGR TJ = 25C to 150

 6.3. Size:123K  ixys
 ixfk120n25p ixfx120n25p.pdf pdf_icon

IXFK120N65X2

VDSS = 250 VIXFK 120N25PPolarHTTM HiPerFETID25 = 120 AIXFX 120N25PPower MOSFET RDS(on) 24 m N-Channel Enhancement Mode trr 200 ns Fast Intrinsic DiodeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 175C 250 VTO-264 (IXFK)VDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 250 VVGS Continuous

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , 7N65 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: 6N60 | IRF1310NPBF | IXFK110N20

 

 
Back to Top

 


 
.