IXFH94N30P3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IXFH94N30P3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1040 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 300 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 94 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 102 nC
Время нарастания (tr): 19 ns
Выходная емкость (Cd): 965 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.036 Ohm
Тип корпуса: TO-247
Аналог (замена) для IXFH94N30P3
IXFH94N30P3 Datasheet (PDF)
ixfh94n30p3 ixfq94n30p3 ixft94n30p3.pdf
Advance Technical InformationPolar3TM HiperFETTM VDSS = 300VIXFT94N30P3ID25 = 94APower MOSFETsIXFQ94N30P3 RDS(on) 36m IXFH94N30P3N-Channel Enhancement ModeTO-268 (IXFT)Avalanche RatedFast Intrinsic RectifierGSD (Tab)TO-3P (IXFQ)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 300 VGVDGR TJ = 25C to 150C
ixfh94n30t ixft94n30t.pdf
Preliminary Technical InformationTrenchTM HiperFETTM VDSS = 300VIXFT94N30TPower MOSFETs ID25 = 94AIXFH94N30T RDS(on) 36m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-268 (IXFT)Fast Intrinsic RectifierGSSymbol Test Conditions Maximum RatingsD (Tab)VDSS TJ = 25C to 150C 300 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 300 VTO-247 (I
ixfh96n20p ixft96n20p ixfv96n20p.pdf
IXFH 96N20PPolarHTTM HiPerFETVDSS = 200 VIXFT 96N20PID25 = 96 APower MOSFETIXFV 96N20P RDS(on) 24 m trr 200 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeTO-247 (IXFH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 150 C 200 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 200 V
ixfh8n80 ixfh9n80.pdf
Preliminary Data SheetVDSS ID25 RDS(on) trrHiPerFETTMIXFH8N80 800V 8A 1.1 250 nsIXFH9N80 800V 9A 0.9 250 nsPower MOSFETsN-Channel Enhancement ModeHigh dv/dt, Low trr, HDMOSTM FamilyTO-247 AD (IXFH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 800 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 800 VVGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 V TO-247 SMD*
ixfh96n15p ixfv96n15p.pdf
IXFH 96N15P VDSS = 150 VPolarHTTM HiPerFETIXFV 96N15P ID25 = 96 APower MOSFET IXFV 96N15PS RDS(on) 24 m trr 200 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche Energy RatedFast Intrinsic DiodeTO-247 (IXFH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGD(TAB)SVDSS TJ = 25 C to 175 C 150 VVDGR TJ = 25 C to 175
ixfp90n20x3 ixfq90n20x3 ixfh90n20x3.pdf
X3-Class HiPerFETTM VDSS = 200VIXFP90N20X3Power MOSFET ID25 = 90AIXFQ90N20X3 RDS(on) 12.8m IXFH90N20X3N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-220AB (IXFP)GDD (Tab)STO-3P (IXFQ)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 200 VGVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 200 VDSVGSS Continuous
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
