IXFC80N08 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXFC80N08  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1675 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm

Тип корпуса: ISOPLUS-220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IXFC80N08

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFC80N08 даташит

 ..1. Size:525K  ixys
 ixfc80n08.pdf pdf_icon

IXFC80N08

ADVANCE TECHNICAL INFORMATION VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM MOSFET IXFC 80N08 80 V 80 A 11 m ISOPLUS220TM 85 V 80 A 11 m IXFC 80N085 Electrically Isolated Back Surface N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS220TM VDSS TJ = 25 C to 150 C 80N08 80 V VDGR TJ = 25 C to

 7.1. Size:69K  ixys
 ixfc80n10.pdf pdf_icon

IXFC80N08

ADVANCE TECHNICAL INFORMATION HiPerFETTM MOSFET IXFC 80N10 VDSS = 100 V ISOPLUS220TM ID25 = 80 A Electrically Isolated Back Surface RDS(on) = 12.5 m trr 200 ns N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low t , HDMOSTM Family rr Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 220TM VDSS TJ = 25 C to 150 C 100 V VDGR TJ = 25 C to 150 C;

Другие IGBT... IXFH16N60P3, IXFH16N50P3, IXFH150N20T, IXFH14N60P3, IXFH120N25T, IXFH10N100Q, IXFD80N10, IXFC80N10, IRFZ24N, IXFB40N110Q3, IXFB210N30P3, IXFB150N65X2, IXFA8N50P3, IXFA7N60P3, IXFA5N50P3, IXFA4N60P3, IXFA36N30P3