Справочник MOSFET. IXFA36N30P3

 

IXFA36N30P3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXFA36N30P3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 347 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 39 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 355 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
   Тип корпуса: TO-263AA

 Аналог (замена) для IXFA36N30P3

 

 

IXFA36N30P3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:155K  ixys
 ixfa36n30p3 ixfp36n30p3.pdf

IXFA36N30P3 IXFA36N30P3

Preliminary Technical InformationPolar3 TM HiPerFETTM VDSS = 300VIXFA36N30P3Power MOSFET ID25 = 36AIXFP36N30P3 RDS(on) 110m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic RectifierTO-263AA (IXFA)GSSymbol Test Conditions Maximum RatingsD (Tab)VDSS TJ = 25C to 150C 300 VTO-220AB (IXFP)VDGR TJ = 25C to 150

 7.1. Size:310K  ixys
 ixfy36n20x3 ixfa36n20x3 ixfp36n20x3.pdf

IXFA36N30P3 IXFA36N30P3

VDSS = 200VX3-Class HiPERFETTM IXFY36N20X3ID25 = 36APower MOSFETIXFA36N20X3 RDS(on) 45m IXFP36N20X3N-Channel Enhancement ModeTO-252 (IXFY)G SD (Tab)TO-263 (IXFA)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 200 VGSVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 200 VD (Tab)VGSS Continuous 20 VTO-220

 9.1. Size:565K  ixys
 ixfa3n120 ixfp3n120.pdf

IXFA36N30P3 IXFA36N30P3

IXFA 3N120 VDSS =1200 VHiPerFETTMIXFP 3N120 ID25 = 3 APower MOSFETsRDS(on) = 4.5 trr 300 ns N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, Low Qg, High dv/dtPreliminary Data SheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220 (IXFP)VDSS TJ = 25C to 150C 1200 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 1200 VD (TAB)VGS Conti

 9.2. Size:206K  ixys
 ixfa30n60x ixfp30n60x.pdf

IXFA36N30P3 IXFA36N30P3

Advance Technical InformationX-Class HiPerFETTM VDSS = 600VIXFA30N60XPower MOSFET ID25 = 30AIXFP30N60X RDS(on) 155m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-263 (IXFA)Fast Intrinsic DiodeGSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220 (IXFP)VDSS TJ = 25C to 150C 600 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M

 9.3. Size:205K  ixys
 ixfa34n65x2 ixfp34n65x2 ixfh34n65x2.pdf

IXFA36N30P3 IXFA36N30P3

X2-Class HiPerFETTM VDSS = 650VIXFA34N65X2Power MOSFET ID25 = 34AIXFP34N65X2 RDS(on) 100m IXFH34N65X2N-Channel Enhancement ModeTO-263 AA (IXFA)Avalanche RatedFast Intrinsic DiodeGSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220AB (IXFP)VDSS TJ = 25C to 150C 650 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VVGS

 9.4. Size:204K  inchange semiconductor
 ixfa34n65x2.pdf

IXFA36N30P3 IXFA36N30P3

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IXFA34N65X2FEATURESWith TO-263(D2PAK) packagingWith low gate drive requirementsEasy to drive100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top