Справочник MOSFET. IPZ65R095C7

 

IPZ65R095C7 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IPZ65R095C7
   Маркировка: 65C7095
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 128 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 33 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm
   Тип корпуса: TO-247-4

 Аналог (замена) для IPZ65R095C7

 

 

IPZ65R095C7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1480K  infineon
 ipz65r095c7.pdf

IPZ65R095C7 IPZ65R095C7

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS C7650V CoolMOS C7 Power TransistorIPZ65R095C7Data SheetRev. 2.0FinalPower Management & Multimarket650V CoolMOS C7 Power TransistorIPZ65R095C7PG-TO 247-41 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and

 7.1. Size:1514K  infineon
 ipz65r045c7.pdf

IPZ65R095C7 IPZ65R095C7

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS C7650V CoolMOS C7 Power TransistorIPZ65R045C7Data SheetRev. 2.0FinalPower Management & Multimarket650V CoolMOS C7 Power TransistorIPZ65R045C7PG-TO 247-41 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and

 7.2. Size:1526K  infineon
 ipz65r019c7.pdf

IPZ65R095C7 IPZ65R095C7

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS C7650V CoolMOS C7 Power TransistorIPZ65R019C7Data SheetRev. 2.0FinalPower Management & Multimarket650V CoolMOS C7 Power TransistorIPZ65R019C7PG-TO 247-41 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and

 7.3. Size:1518K  infineon
 ipz65r065c7.pdf

IPZ65R095C7 IPZ65R095C7

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS C7650V CoolMOS C7 Power TransistorIPZ65R065C7Data SheetRev. 2.1FinalPower Management & Multimarket650V CoolMOS C7 Power TransistorIPZ65R065C7PG-TO 247-41 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and

Другие MOSFET... IXFA24N60X , IXFA22N65X2 , IXFA22N60P3 , IXFA20N50P3 , IXFA18N60X , IXFA16N60P3 , IXFA16N50P3 , IXFA14N60P3 , IRFP064N , IPZ65R065C7 , IPZ65R045C7 , IPZ65R019C7 , IPZ60R099C7 , IPZ60R040C7 , IPW65R420CFD , IPW65R310CFD , IPW65R190E6 .

History: IXFT50N60P3

 

 
Back to Top