Справочник MOSFET. IPW65R190CFD

 

IPW65R190CFD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPW65R190CFD
   Маркировка: 65F6190
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 151 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 86 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для IPW65R190CFD

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPW65R190CFD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:6482K  infineon
ipa65r190cfd ipb65r190cfd ipi65r190cfd ipp65r190cfd ipw65r190cfd.pdfpdf_icon

IPW65R190CFD

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS C6/CFD 650V650V CoolMOS C6 CFD Power TransistorIPx65R190CFD Data Sheet Data SheetRev. 2.2FinalIndustrial & MultimarketIPW65R190CFD , IPB65R190CFD , IPP65R190CFDIPA65R190CFD , IPI65R190CFD650V CoolMOS C6 CFD Power TransistorTO-247 DPAK TO-2201 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology fo

 ..2. Size:3820K  infineon
ipw65r190cfd ipb65r150cfd ipp65r150cfd ipa65r150cfd ipi65r150cfd.pdfpdf_icon

IPW65R190CFD

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS CFD2 650V650V CoolMOS CFD2 Power TransistorIPx65R190CFD Data SheetRev. 2.7FinalIndustrial & Multimarket650V CoolMOS CFD2 Power TransistorIPW65R190CFD , IPB65R190CFD , IPP65R190CFDIPA65R190CFD , IPI65R190CFDTO-247 DPAK TO-2201 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage

 ..3. Size:242K  inchange semiconductor
ipw65r190cfd.pdfpdf_icon

IPW65R190CFD

isc N-Channel MOSFET Transistor IPW65R190CFDIIPW65R190CFDFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)190mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONFast SwitchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 650 VDS

 0.1. Size:2192K  infineon
ipw65r190cfda ipb65r190cfda ipp65r190cfda.pdfpdf_icon

IPW65R190CFD

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCFDA Automotive650V CoolMOS CFDA Power TransistorIPx65R190CFDA Data SheetRev. 2.0FinalAutomotive650V CoolMOS CFDA Power TransistorIPW65R190CFDA, IPB65R190CFDAIPP65R190CFDATO-247 DPAK TO-2201 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs,designed according to the sup

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: SIHS20N50C

 

 
Back to Top

 


 
.